| 研究概要 |
東亜大学工学部で使用中のパソコンPC9801VMに3.5インチハ-ドディスクユニットを取付け補助記憶装置の記憶容量を40Mバイトに拡張し、また数値演算プロセッサを付加して規模の大きい計算に効率良く対応できるようにした。入力装置とマてマイタブレットを導入しグラフ形式のデ-タの入力効率を向上させた。オペレ-ティングシステムとしてMS-DOSバ-ジョン3.3Aを準備し、MS-DOS上のBASIC,FORTRAN,Cの各高級言語が使用できるようにした。
クラマ-ス・クロニッヒ解析用のBASICプログラムパッケ-ジを開発整備し、5インチフロッピ-ディスクを媒体として利用できるようにした。このプログラムパッケ-ジを用いて、外部光電効果の入射角依存曲線の最大値が光学定数、光電子脱出深度の変化にともなってどのように変化するかを調べ、その計算結果を光学定数NとKまたはNと光電子脱出深度Lをパラメ-タとするマップとして入射角と相対光電収率の二次元空間上に表現した。このマップは軟X線領域の外部光電効果を利用する光学考数決定法または光電子脱出深度決定法として実験上有用であることが分かった。これらの結果の一部はX線結像光学の研究会と公開シンポジウムで報告した。計算結果はすべてXYプロッタを用いて仕上りの良いグラフに表わせるようプログラムを開発した。これまでは主としてCsIについて上記の計算を実行した。他の物質については準備中である。アルゴリズムは確立したので他の物質に適用するのは比較的容易であると考えている。大型計算機への移植も準備中である。
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