| 研究分担者 |
西野 利次 富山工業高等専門学校, 金属工学科, 講師 (20198485)
前 健彦 富山工業高等専門学校, 金属工学科, 助教授 (10042821)
宮谷 大作 富山工業高等専門学校, 物質工学科, 助教授 (20018980)
武田 文雄 富山工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (20042814)
川越 誠 富山高専, 機械工学科, 助教授 (10124009)
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| 研究概要 |
試作した改良型マグネトロンスパッタ装置で次のことがわかった.
(1)ソレノイドコイル電流が1.0〜1.5Aで放電電圧400V以下と言う低電圧で300mA以上の高密度放電が可能で,その結果,膜堆積速度を上げることができた.
(2)タ-ゲット裏面の電磁石及びソレノイド電流を相互に調節してスパッタ領域を変化させることができた.
(3)タ-ゲットとして外側にCuリング,内側にTi板を配置した複合体を用い,ソレシイド電流を連続的に変化させてスパッタしたところ,20%〜80%at.%Cuの成分比の膜を得ることができた。
合金膜を用いた金属ーセラミックス接合では次のことがわかった.
(4)1373Kにおいて0〜60%Tiを含む溶融CuーTi合金のSiC基板に対する濡れ性を平衡接触角を測定することにより調ベた結果,Ti量が30at.%を越えると急激に濡れ性が上昇すること,これがSiC板上に形成されるTiCやTi_3SiC_2の炭化物がSiC中へのCuの拡散を妨げることがわかった.
(5)SiC,Al_2O_3及びZrO_2基板にTiーCu膜,ZrーCu膜,また,純Ti及びZr膜をスパッタした試料を用いて高温加圧接合を行なった.その結果,接合界面にSiCの場合にはTiC,SiC_2やZrCがAl_2O_3ではTi_3Al,(Ti,Al)_2O_3やZr_2Al_3,Zr_4Al_3相が形成されることがわかった.
(6)引張試験機を用いて接合面のせん断強度を測定する治具を自作して接合強度を評価し,SiC接合体においてはTiがAl_2O_3接合体においてはZrが接合強度を高めるのに有効であることが明らかになった.
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