| 研究課題/領域番号 |
01850089
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| 研究種目 |
試験研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
計測・制御工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
難波 進 大阪大学, 極限物質研究センター, 教授 (70029370)
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| 研究分担者 |
木野村 淳 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (90225011)
弓場 愛彦 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (30144447)
高井 幹夫 大阪大学, 基礎工学部, 助教授 (90142306)
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| 研究期間 (年度) |
1989 – 1990
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| 研究課題ステータス |
完了 (1990年度)
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| 配分額 *注記 |
29,700千円 (直接経費: 29,700千円)
1990年度: 4,400千円 (直接経費: 4,400千円)
1989年度: 25,300千円 (直接経費: 25,300千円)
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| キーワード | イオンビ-ム / 集束イオンビ-ム / イオンプロ-ブ / 後方散乱 / トロイダル分析器 / 照射損傷 / 半導体 / 3次元分析 / ナノメ-トルイオンプロ-ブ / 集速イオンビ-ム / プリスタリング / アブレ-ション |
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| 研究概要 |
1.高分解能トロイダル分析器を用いた検出装置の設計製作と特性評価
超高真空チャンバ-内にトロイダル電極を設置し、粒子検出部にマルチアノ-ド検出装置(マルチチャンネルプレ-ト、ディジタル高速位置演算器)を組み合わせた高感度検出装置を設計試作し、設計どおりのエネルギ-分解能を得ることができた。
2.分析デ-タ収集システムの完成
高分解能エネルギ-分析器とCAMACモジュ-ルによる高速デ-タ収集処理系を用いたシステムを構築し、2次元・3次元デ-タのプロセスソフトウェアを開発し、3次元分析計測可能なナノメ-トルイオンプロ-ブシステムを完成させた。
3.集束イオンビ-ムによる後方散乱実験とシステムの最適化
計算機シミュレ-ションとビ-ム径の実測を併用して、イオンプロ-ブの集束条件、これらによる後方散乱計測条件を最適化すると同時に集束イオンプロ-ブビ-ムによる照射損傷の影響について検討した。シリコン結晶に対するプロ-ブビ-ムによる照射損傷は、1×10^<18>/cm^2以上の照射量により誘起され、4×10^<18>/cm^2以上でブリスタリングが生じ、5×10^<18>/cm^2以上でアブレ-ションが起きることを明かにした。このため、計測システムを照射量が10^<17>/cm^2以下になるように最適化した。
4.システムの評価と最適化
試作したナノメ-トルイオンプロ-ブシステムを用いて、半導体テスト試料の測定を行い、システムの評価、デ-タ収集ソフトウェアの最適化を行った。さらに、測定結果をオ-ジェ分析、SIMS分析などの結果と比較検討した。
5.実用性の実証
半導体のプロセスステップへの本システムの応用を行い、高速高分解能計測が可能な本システムの実用性を実証した。
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