• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

新機能光デバイスのための化合物半導体の物性制御の研究

研究課題

研究課題/領域番号 02204003
研究種目

重点領域研究

配分区分補助金
研究機関千葉大学

研究代表者

吉川 明彦  千葉大学, 工学部, 教授 (20016603)

研究分担者 荒井 滋久  東京工業大学, 工学部, 助教授 (30151137)
小林 洋志  鳥取大学, 工学部, 教授 (40029450)
吉田 博  東北大学, 理学部, 助手 (30133929)
研究期間 (年度) 1990 – 1992
研究課題ステータス 完了 (1990年度)
配分額 *注記
26,300千円 (直接経費: 26,300千円)
1990年度: 26,300千円 (直接経費: 26,300千円)
キーワードワイドギャップIIーVI族化合物半導体 / 青色発光素子 / 電子状態計算 / 物質設計 / エレクトロルミネッセンス / (IIaーVIb) / (IIbーVIb)超格子薄膜 / 半導体光スイッチ / 量子細線
研究概要

化合物半導体の新機能制の発現のための物質設計,物性制御に関して以下のような研究成果が得られた。
1.p型ZnSeアクセプタ準位の候補としてLi不純物を選び,新たに開発したDSA法人によりZn置換位置周辺でのLiの移動エネルギ-と構造安定性を計算した.その結果Liのアクセプタとしての不安定性の起源が置換位置から格子間位置への移動とイオン化による自己補償であることを解明した.(吉田)
2.ZnSeの物性制御に於いて基板との格子不整の影響を検討した結果,GaAs上に成長したn型ZnSe膜には圧縮応力が働き,この応力を緩和するために界面付近に深い欠陥準位が導入され,それに伴い高抵抗層が存在することを明らかにした.また,NH_3を用いた窒素添加ZnSeに於いてAu電極の熱処理の最適化により正孔濃度が2x10^<16>cm^<ー3>程度のp型伝導膜であることを確認した.さらに,GaAsに整合したZnSSe混晶膜の成長を行い窒素添加を試みたが,ZnSeに比べて窒素は取り込まれにくい事が分かった.(吉川)
3.SrS/ZnS超格子薄膜の成長を行うために,ホットウォ-ル蒸着型のALE装置の作製を進め,薄膜成長の予備実験を行った.その一方で,基礎となる知見を得るため,電子線蒸着法で作製したSrS薄膜の評価を行った.SrS薄膜は成長温度500℃以上のとき比較的良質の多結晶薄膜になる.また,成長中に容易に酸素原子を取り込み,酸素汚染される.500℃程度の温度で熱処理を行うと,膜質が改善されることが分かった.(小林)
4.量子細線・量子箱構造を用いる交差型光スイッチの理論解析を行い,低損失化および高消光比化のためには,量子細線や量子箱が優れていることを明らかにすると共に,幅25ー35nm,井戸層厚8nmのGaInAs/InP3層多重量子細線構造を世界で初めて試作し,その電界屈折率変化スペクトルを測定した.(荒井)

報告書

(1件)
  • 1990 実績報告書
  • 研究成果

    (36件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (36件)

  • [文献書誌] A.Yoshikawa: "Ar Ion LaserーAssisted MOVPE of ZnSe Using DMZn and DMSe as Reactants" Japanese Journal of Applied Physics. 29(2). L225-L227 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] S.Yamaga: "Growth and Properties of ZnCdS Films on GaAs by LowーPressure MOVPE" Journal of Crystal Growth. 99. 432-436 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] H.Oniyama: "Growth of LatticeーMatched ZnSeーZnS StrainedーLayer Superlattice onto GaAs as an Alternative to ZnSSe Alloys" MRS Proceedings on Properties of IIーVI Semiconductors. 161. 187-191 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: "Ar Ion LaserーAssisted Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of ZnSe" SPIE Proceedings on Laser/Optical Processing of Electronic Materials. 1190. 25-34 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: "Use of Dimethyl Hydrazine as a New Acceptor Dopant Source in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of ZnSe" Journal of Crystal Growth. 101. 305-310 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: "“MBEーlike" and “CVDーlike" Atomic Layer Epitaxy of ZnSe in MOMBE System" Journal of Crystal Growth. 101. 86-90 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] S.Yamaga: "Growth and Properties of IodineーDoped Zns Films Grown by LowーPressure MOCVD Usinf Ethyliodide as a Dopant Source" Journal of Crystal Growth. 106. 683-689 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: "Effects of Ar Ion Laser Irradiation on MOVPE of ZnSe Using DMZn and DMSe as Reactants" Journal of Crystal Growth. 107. 653-658 (1991)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] T.Okamoto: "Effects of Substrate Materials and Their Properties on Photoassisted Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of ZnSe" Japanese Journal of Applied Physics. 30(2A). L156-L159 (1991)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] S.Yamaga: "Epitaxial ZnS MπS Blue Light Emitting Diode Fabricated on nーGaAs by LowーPressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy" Japanese Journal of Applied Physics. 30(3). 104-108 (1991)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: "Effects of Substrate Materials on Ar Ion LaserーAssisted MOVPE of ZnSe Using DMZn and DMSe as Reactants" Proceedings of MRS.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: "Ar Ion Laser Irradiation Effects on the MOVPE Growth of ZnSe Using Dimethyl Zinc and Hydrogen Selenide as Reactants" Journal of Crystal Growth.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] T.Sasaki: "Mechanism of Hydrogen Passivation in Silicon" Proceedings of the 3rd International Conference on Sallow Impurities. 395-404 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] T.Sasaki: "Atomic Configuration and Electric Structure of Anormalous Muonium in Silicon" Proceedings of the 19th International Conference on Physics of Semiconductors. 1003-1006 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] T.Sasaki: "Electronic Structure of Hydrogen and Sallow Acceptor Complexes in Silicon" Proceedings of the 15th International Conference on Defect in Semiconductors. 973-978 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] T.Oguchi: "Electronic Structure of Liーimpurities in ZnSe" MRS Proceedings of Defects and Diffusion in Semiconductors. 163. 81-84 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] 岡部 豊: "計算物理で何をめざすか?" 固体物理. 25(1). 13-21 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] H.KatayamaーYoshida: "Hyperfine and Superhyperfine Interaction Parameters of Interstitial 3rd Transition Atom Impurities in Semiconductors" Proceeding of International Workshop on Hyperfine Interaction of Defects in Semiconductors.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] T.Sasaki: "Electronic Structure and Stability of an Impurity Atom of Li in ZnSe" Proceedings of 20th International Conference on the Physics of Semiconductors.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] C.Kaneta: "Atomic Configuration and its Stability of CarbonーOxygen Complex in Silicon" Proceedings of 20 th International Conference on the Physics of Semiconductors.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] T.Sasaki: "Electronic Structure Calculation for Materials Design" Proceedings of International Conference on Computer Application to Materials Science and Engineering.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] S.Tanaka: "Stable White SrS:Ce,K,Eu Thin Film EL with Filters for FullーColor Devices" Proceedings of SID. 31(1). 25-30 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] S.Tanaka: "Thin Film Electroluminescencent Devices using CaS and SrS" Journal of Crystal Growth. 101. 958-966 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] H.Kobayashi: "Color Electroluminescencent Phosphors Based on RareーEarth Doped AlkalineーEarth Sulfides" Acta Polytechnice Scandinavica. 69-76 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] S.Tanaka: "Annealing Effect on Electroluminescence Characteistics of SrS Thin Film Devices Prepared by Electron Beam Evaporation" Acta Polytechnica Scadinavica. 170. 211-214 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] K.Shimomura: "Analysis of Semiconductor Intersectional Optical Switch/Modulators" IEEE Journal of Quantum Electronics. 26. 883-892 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] T.Kikugawa: "Observation of Field Induced Refractive Index Variation in GaInAs/InP Quantum Wire (QW) Structure" Electronics Letters. 26. 1012-1013 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] K.G.Ravikumar: "Lowーdamage GaInAs(P)/InP Nanometer Structure by LowーPressure ECRーRIBE" Japanese Journal of Applied Physics. 29. L1744-L1746 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] K.Shimomura: "Semiconductor Intersectional Optical Switch using Positive Index Variation" Transaction of IEICE.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] K.G.Ravikumar: "Field Induced Refractive Index Variation Spectrum in GaInAs/InP Quantum Wire Structure" Applied Physics Letters.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] M.Kohtoku: "Switching Operation in GaInAs/InP MQW IntegratedーTwinーGuide (ITG) Optical Switch" IEEE Photon.Tech.Letters.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Miyake: "Room Temperature Operation of GaInAs/GaInAsP/InP SCH MultiーQuantumーFilm Laser with Narrow Wireーlike Active Region" IEEE Photon.Tech.Letters.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] 吉川 明彦: "先端電子材料事典 (斎藤省吾 編)“光エレクトロニクス材料"" (株)シ-エムシ-, (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: "WIDEGAP IIーVI COMPOUNDS FOR OPTOーELECTRONIC APPLICATIONS “MOMBE Growth and Properties of WidegaP IIーVI Compounds"" Chapman and Hall Ltd.,

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] T.Sasaki: "Defect Control in Semiconductors “Instability and Migration of an Impurity Atom of Li in ZnSe"" Elsevier Science Publishers B.V., 4 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] 吉田 博: "コンピュ-タによるシリコンテクノロジ“深い不純物準位の電子状態の計算と物質設計"" 海文堂, 37 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書

URL: 

公開日: 1990-04-01   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi