| 研究課題/領域番号 |
02226227
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| 研究種目 |
重点領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
田中 正一 日本大学, 理工学部, 教授 (70058600)
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| 研究分担者 |
山本 寛 日本大学, 理工学部, 助教授 (90130632)
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| 研究期間 (年度) |
1990
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| 研究課題ステータス |
完了 (1990年度)
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| 配分額 *注記 |
2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
1990年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
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| キーワード | 多重スパッタ法 / 低温合成 / YBaCuO / BiSrCaCuO / CuO系多層膜 / 紫外線照射 / N_2O反応性スパッタ |
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| 研究概要 |
本研究においては、スパッタ法により複合酸化物膜を合成するとき、結晶化温度の低い低級酸化物を多重積層化するプロセスを開発し、結果として低温合成を可能にすることを目指している。
本年度の研究成果は大きく3つに分れており、各々の実績について以下に概要を述べる。
YーBaーCuーO系薄膜に関しては、Y_2Cu_2O_5とBaCuO_2酸化物膜のスパッタ形成にあたりタ-ゲットとして合金と焼結体の2つのタイプを用いた結果を詳細に比較検討した。結論として、合金タ-ゲットを用い、基板温度約600℃のもとで、成膜可能であることを明らかにした。特に、YーCuーO膜においては、紫外線照射下でのN_2O反応性スパッタが低温化に有効であることを確かめた。
BiーSrーCaーCuーO系薄膜に関しては、対向タ-ゲットスパッタ法により、基板温度700℃のもとで、110K相単相膜の形成が可能であることを示した。しかし、膜の超伝導特性に関しては、膜の結晶性についての種々の物理分析の結果、大幅な改善が必要であることを明確にした。
CuーO系多層膜形成に関しては、dc反応性スパッタ法により、350〜450℃の低温基板温度のもとで、単結晶CuO膜をうることができることを実験的に明らかにした。さらに、CuO/NiO多重積層膜の形成を試み、CuOの半導体特性を制御・変化する上でNiO層の存在が有効であることを確かめた。また、NiO膜の結晶相の強い影響を受け、CuOエピタキシャル膜は、正方晶へ相変化することを確認することができた。
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