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マイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折法による金属/半導体多層膜の研究

研究課題

研究課題/領域番号 02233201
研究種目

重点領域研究

配分区分補助金
研究機関東北大学

研究代表者

河野 省三  東北大学, 理学部, 助教授 (60133930)

研究期間 (年度) 1990
研究課題ステータス 完了 (1990年度)
配分額 *注記
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1990年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
キーワード多層膜 / 半導体表面 / 電子分光 / オ-ジェ電子回折 / Si(111)表面 / In吸着
研究概要

1.下地Si(111)表面の平滑性
本研究では多層膜形成の下地として,Si(111)やSi(001)表面を用いるので,それら表面の平滑性を知ることが重要である。そこで,マイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折法の一応用である超高真空走査電子顕微鏡(UHVーSEM)により,下地表面のステップを直接観察する以下のような方法を考察した。(1)下地Si(111)表面の清浄化とSi(111)7×7周期のマイクロプロ-ブRHEEDによる確認。(2)下地を約250℃に保ってInを〜0.2原子層蒸着。(3)UHVーSEM観察。これにより下地Si(111)表面のステップが直接検出できることを見いだした。この方法を用いて本研究で用いたSi(111)7×7表面の平滑性を調べた結果,〜3.1A^^°のシングルステップと〜9A^^°のトリプルステップが存在し,平滑な部分の広がりは〜1μm^2程度であることが分かった。
2.In/Si(111)初期界面の構造
In/Siの多層膜形成の前段階として,In/Si(111)初期界面の構造をマイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折法を用いて調べた。In/Si(111)初期界面としては,√<3>×√<3>ーIn表面と4×1ーIn表面が存在するが,√<3>×√<3>ーIn表面の構造はかなり良く分かっている。一方,4×1ーIn表面の構造はほとんど分かっていない。4×1ーIn表面からのIn MNNオ-ジェ電子のマイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折パタ-ンを測定し,運動学解析を行うことによって,4×1ーIn表面上のIn原子配列についての情報を得た。

報告書

(1件)
  • 1990 実績報告書
  • 研究成果

    (2件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (2件)

  • [文献書誌] N.Nakamura,K.Anno and S.Kono: "Structureーanalysis of the Singleーdomain Si(111)4×1ーIn surface by μーprobe Auger electron diffraction and μーprobe reflection nigh energy electron diffraction" Surface Science.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] K.Anno,N.Nokamura and S.Kono: "Study of Surface Electromigration in the In/Si(111) System by the Use of MicroーElectronーBeams" Surface Science.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書

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公開日: 1990-04-01   更新日: 2016-04-21  

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