| 研究課題/領域番号 |
02253203
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| 研究種目 |
重点領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
岩澤 康裕 東京大学, 理学部, 教授 (40018015)
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| 研究分担者 |
大西 洋 東京大学, 理学部, 助手 (20213803)
有賀 哲也 東京大学, 理学部, 助手 (70184299)
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| 研究期間 (年度) |
1990
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| 研究課題ステータス |
完了 (1990年度)
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| 配分額 *注記 |
1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
1990年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
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| キーワード | 光刺激脱離 / 光励起プロセス / 走査トンネル顕微鏡 |
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| 研究概要 |
光励起を利用した半導体成長初期過程を解明するため、以下の研究を行なった.
1.高圧キセノンランプ、石英レンズ、フィルタ-等からなる紫外光源を整備した.この光源では、光学素子の組合せにより200〜1000nmの範囲内の任意の波長において、50〜100nmの幅で光出力100〜1000mWの準単色光を得られるようにした.また、ICFー152真空フランジに直接搭載しうるようにしたので、複数の超高真空装置で共用することができる.これを設置する超高真空装置のひとつには、角度分解電子刺激脱離装置が設置される.光源系との接続により光刺激脱離の測定が可能となる.この装置は、本申請者らが開発した飛行時間フ-リエ変換型質量分析器を備えている.これは従来の質量分析器の10^3倍の検出効率を有し、また、パルス光源を用いず、安価な定常光源を用いて高い効率で飛行時間法による並進エネルギ-測定が行なえるものである.
2.表面光化学反応容器を直結した超高真空走査トンネル顕微鏡(STM)装置を開発した.これは、比較的高圧における光励起プロセスにより成長中の表面を直ちに超高真空槽に移送してSTM観察を可能とするものである.STMは、金蒸着膜等で原子レベル分解能が得られることを確認している.今後は、光励起による金属ー半導体界面形成の典型例として、Si(001)ー(2×1)表面上へのGa(CH_3)_3の光励起堆積過程についての検討を進める予定である.
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