| 研究課題/領域番号 |
02352016
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| 研究種目 |
総合研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
井野 正三 東京大学, 理学部, 教授 (70005867)
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| 研究分担者 |
犬塚 直夫 青山学院大学, 理工学部, 教授 (30082788)
川原田 洋 早稲田大学, 理工学部, 助教授 (90161380)
大矢 銀一郎 宇都宮大学, 工学部, 教授 (00006280)
川辺 光央 筑波大学, 物質工学系, 教授 (80029446)
八木 克道 東京工業大学, 理学部, 教授 (90016072)
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| 研究期間 (年度) |
1990
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| 研究課題ステータス |
完了 (1990年度)
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| 配分額 *注記 |
3,100千円 (直接経費: 3,100千円)
1990年度: 3,100千円 (直接経費: 3,100千円)
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| キーワード | エピタクシ- / エピタクシャル成長 / 超伝伝導薄膜 / 半導体薄膜 / タイヤモンド薄膜 / 反射高速電子回折 / 電子顕微鏡 |
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| 研究概要 |
本総合研究の分担研究者は、エピタクシ-解析手法の研究者、超伝導体薄膜研究者、高温超伝導体薄膜研究者、ダイヤモンド薄膜研究者等から構成されているが、互いに有機的に協力して研究を遂行してきた。先ずRHEED(反射高速電子回折)、TRAXS(全反射角X線分光)電子顕微鏡などを用いて、Si(100)表面において、Insbの吸着・成長の素過程の詳しい研究、エピタクシ-法により、1原子層のGeやSnを表面から数原子層の所に埋め込む(ド-プ)実験、UHVーSEMによるSi(111)上のAu、Agの吸着構造の研究などを行った。酸化物高温超伝導体については、マグネトロンスパッタリング法等により、エピタクシャル成長薄膜の研究を行い、高品質の薄膜の形成法、エピタクシャル成長の制御法、トンネル接合の形成法などの研究を行った。ダイヤモンド薄膜については、様々なCVD法により薄膜を作成し、その構造や成長方位、核の発生場所やその分布等の研究を行った
平成2年11月19〜21日に、「ホテル伊豆高原」において、研究会を開催し、研究成果の発表、討論、情報の交換等を行った。またエピタクシ-の研究の歴史、現状、将来性等に付いて、国内的、国際的な立場から分析、討論した。その結果、これに関する日本の研究の実績は高く、これを重点領域研究としてさらに飛躍的に発展させることは、基礎科学的な観点からしても極めて重要であるばかりでなく、産業界に与えるインパントも莫大であり、社会的な要請も極めて大きいと考える意見が圧倒的であり、これを緊急に取り上げて推進させる必要があるという結論に至った。その後8人の世話人が選出され、小会合、アンケ-トによる調査、意見の交換等を重ね、重点領域研究の申請書を作成した。
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