| 研究課題/領域番号 |
02452141
|
|---|
| 研究種目 |
一般研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
電子材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 北海道大学 |
|---|
研究代表者 |
武笠 幸一 北海道大学, 工学部, 教授 (00001280)
|
|---|
| 研究分担者 |
荒磯 恒久 北海道大学, 応用電気研究所, 助教授 (30151145)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1990 – 1991
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1991年度)
|
| 配分額 *注記 |
5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
1991年度: 2,600千円 (直接経費: 2,600千円)
1990年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
|
|---|
| キーワード | LB膜 / IETS / Sn,Pb電極 / トンネル接合 / 酸化物フォノン / アラキジン酸 / 分子振動 / 電荷の充放電 / フォノン |
|---|
| 研究概要 |
最終年度はまずLB膜を累積する金属(酸化物)基板に関する検討をIETS法を用いてさらに行なった。その結果として下部電極としてPbを用いたPb/PbO/Pbトンネル接合の場合、高バイアス領域のトンネルスペクトルを測定した結果、PbO/Pb界面への有機物のド-ピングの有無に関わらず全く分子振動スペクトルが観測されなかった。この原因に関しては今後の検討課題である。本研究の目的はLB膜分子の振動スペクトルを観測することであるから以上の結果よりPb電極はIETSによる分子振動測定には不適であると判断しPbは下部電極として用いないことにした。一方、Snを下部電極として用いたSn/SnO@_<2@>/Pbトンネル接合の場合、高バイアス側の分子振動スペクトル領域では分子の各種振動モ-ドが観測された。このことからSn電極はLB膜の分子振動測定に用いることが可能であることが分かった。以上の結果からアラキジン酸コバルトをトンネル障壁に用いたSn/Sn0@_<2@>/Ar@_<2@>Co/Pbトンネル接合を作成しトンネルスペクトル測定を行なった。10meV以下のVーdV/dI測定を行なったところPbの超伝導エネルギ-ギャップに対応するバイアス点で極小値が観測された。したがって、トンネル伝導が主要な伝導機構であることが確認された。一方、500meVまでのトンネルスペクトルを測定したところ同一の試料にも関わらず1回目と2回目の掃引で異なるスペクトルが観測された。この原因としてはLB膜分子の双極子がLB膜固有の異方性構造により増強されこれに蓄えられた電荷の充放電が関係していると考えられるが詳細に関してはさらに検討を加える必要があるものと思われる。今後は長鎖脂肪酸LB膜の作成時の最適条件(下層水のpH、含有金属等)を見いだすことと平行して高分子を利用することによる面内配向の強化を図ることによる成膜制御を行い、より膜質の良好なトンネル障壁としてのLB膜を実現したい。
|
