| 研究課題/領域番号 |
02555158
|
|---|
| 研究種目 |
試験研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
無機工業化学・無機材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 北海道大学 |
|---|
研究代表者 |
小平 紘平 北海道大学, 工学部, 教授 (60002002)
|
|---|
| 研究分担者 |
古崎 毅 北海道大学, 工学部, 助手 (90190149)
樋口 幹雄 北海道大学, 工学部, 助手 (40198990)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1990 – 1991
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1991年度)
|
| 配分額 *注記 |
8,100千円 (直接経費: 8,100千円)
1991年度: 2,600千円 (直接経費: 2,600千円)
1990年度: 5,500千円 (直接経費: 5,500千円)
|
|---|
| キーワード | 透明導電性酸化物薄膜 / 酸化スズ / ゾル-ゲル法 / 酸化インジウム / ITO薄膜 / ITO膜 / ガスセンサ- |
|---|
| 研究概要 |
本研究では、ゾル-ゲル法によりIn_2O_3およびSnO_2薄膜を作製し、薄膜の生成過程を検討すると共に電気的・光学的性質を明らかにした。
本研究で作製したIn_2O_3およびSnO_2薄膜の光透過率は、いずれも可視領域において90%であり、一回の塗布一焼成で得られる膜厚は、約140nmであった。また、550〜800℃30分間の焼成では、これらの薄膜と石英ガラス基板との相互作用は認められなかった。
(1)In_2O_3薄膜:In_2O_3薄膜の比抵抗はSnの添加により急激に減少し、7.5mol%Snの添加量で最小となった。また、7.5mol%Sn添加したIn_2O_3薄膜の比抵抗は焼成温度の上昇にともなって減少し、850〜900℃で3×10^<-3>Ωcmと最小となった。さらに、真空中300℃で30分間熱処理することにより、比抵抗は7×10^<-4>Ωcmまで減少した。
(2)SnO_2薄膜:ゲル膜を焼成することにより、まず200℃付近までに物理吸着水が脱水する。その後化学的に結合している水酸基が550℃付近までに除々に脱離しそれと共に結晶性が向上して基板に強固に付着したSnO_2薄膜が生成する。また、SnO_2薄膜の微細構造は、温度の上昇にともない一次粒子間での接合が拡大し粒成長する一方、気孔率は変化せず気孔径の増大が生ずるという過程を経て変化することが明かとなった。
SnO_2薄膜の比抵抗はSbの添加により急激に減少し、7mol%Sbの添加量で最小となった。また、7mol%Sb添加したSnO_2薄膜の比低抗は焼成温の上昇にともなって減少し、800〜900℃で3×10^<-3>Ωcmと最小となった。
|
