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発光相関法による短波長領域フェトム秒光パルスの時間幅測定法の開発

研究課題

研究課題/領域番号 02650036
研究種目

一般研究(C)

配分区分補助金
研究分野 物理計測・光学
研究機関岡山理科大学

研究代表者

斉藤 博  岡山理科大学, 理学部, 教授 (20013526)

研究分担者 大石 正和  岡山理科大学, 理学部, 教授 (40068911)
研究期間 (年度) 1990 – 1991
研究課題ステータス 完了 (1991年度)
配分額 *注記
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1991年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
1990年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
キーワードフェトム秒光パルス / モ-ド同期レ-ザ- / 発光相関法 / フェムト秒光パルス
研究概要

(1)紫ー青色領域波長可変ピコ秒レ-ザ-の発振とパルス幅短縮化:モ-ド同期cw NdーYAGレ-ザ-(Antares 76s、出力25W)の第3高調波(出力500ー600mW)による同期励起色素レ-ザ-発振特性の測定を行なった。色素としてスティルベン3を用い出力100ー150mW、可変波長範囲410ー460nmのパルス光を得た。パルス幅測定は、高速スキャンマイケルソン干渉計とBBO結晶を使用した第2高調波発生法(自己相関法)により1ー1.4psの値を得た。この同期励起色素レ-ザ-に可飽和色素を併用することによりパルス時間幅の短縮化を試みた。可飽和色素にNK557(日本感光色素製)あるいはクマリン7を用いた場合1ps以下のパルスが得られた。出力強度は1/3程度に減少した。しかしながら長時間安定性のみならず、個々のパルスの強度変動、位置変動が無視できない等出力安定度が極めて低い。
(2)発光相関法に使用する高精度の高速スキャンマイケルソン干渉計を新たに製作した。この干渉計は、Arレ-ザ-励起R6G色素レ-ザ-のフェトム秒パルス光の時間幅測定で検討した結果、2レ-ザ-ビ-ム間の干渉パタ-ンが測定可能な精度をもっていることが判明している。
(3)またこの干渉計を使用し、発光相関法による相関波形の測定を試みた。試料としては、分子線エピタキシ法により成長したZnSe薄膜とCdSバルク結晶を使用した。その結果何れの試料においても第2高調波発生自己相関波形と同様な発光相関波形が得られた。しかしながら、主にレ-ザ-出力安定度が極めて低いため、両者の詳細な比較検討が可能な精度をもつ結果を得ることは非常に困難であることが判明した。したがって今回試みた発光相関法による測定は、BBO結晶等の非線形結晶が適用できないような短波長域の光パルス幅の目安になるとは言えよう。

報告書

(3件)
  • 1991 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1990 実績報告書
  • 研究成果

    (24件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (24件)

  • [文献書誌] M.Ohishi,H.Saito,J.Fujiwara and K.Ohmori: "Effect of residual strain on the splitting of excitonic luminesence lines in epitaxially grown ZnSe/GaAs" Japan.J.Appl.Phys.29. 1504-1505 (1990)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Ohishi,H.Saito,H.Torihara K.Fujisaki and K.Ohmori: "Ultraviolet irradiation effect on the MBE growth of AnSe/GaAs observed by RHEED" J.Crystal Growth. 111. 792-796 (1991)

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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Ohishi,H.Saito,Y.Fujisaki H.Torihara and Iminjan Alet: "Low temperature growth of AnSe/GaAs using post-heated molecular beams" Japan.J.Appl.Phys.30. L1042-L1044 (1991)

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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Ohishi,H.Saito,H.Torihara,Y.Fujisaki and K.Ohmori: "Molecular beam eptaxially grown ZnSe(001)surface studied by the in-situ observation of RHEED intensity" Japan.J.Appl.Phys.30. 1647-1652 (1991)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Ohishi,H.Saito,M.Yoneta and Y.Fujisaki: "Low temperature growth of AnSe/GaAs using hot molecular beams" J.Crystal Growth.

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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 斉藤 博,渡部 明: "ハイブリッドモ-ド同期、同期励起色素レ-ザ-による青色領域サブピコ秒パルスの発生" 岡山理科大学紀要.

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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Hiroshi Saito and Akira Watanabe: "Generation of sub-picosecond light pulses in the blue region from a hybrid mode-locked dye laser synchrnouly pumped by the third hamonics of a Nd-YAG laser" The bulletin of Okayama University of Science.

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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M. Ohishi, H. Saito, M. Yoneta and Y. Fujisaki: "Low temperature growth of ZnSe/GaAs using hot molecular beams" J. Crystal Growth.

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M. Ohishi, H. Saito, H. Torihara, Y. Fujisaki and K. Ohmori: "Molecular beam epitaxially grown ZnSe (001) surface studied by the in-situ observation of RHEED intensity" Japan. J. Appl. Phys.30. 1647-1652 (1991)

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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M. Ohishi, H. Saito, Y. Fujisaki, H. Torihara and I. Alet: "Low temperature growth of ZnSe/GaAs using post-heated molecular beams" Japan. J. Appl. Phys.30. L1042-L1044 (1991)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M. Ohishi, H. Saito, H. Torihara, K. Fujisaki and K. Ohmori: "Ultraviolet irradiation effect on the MBE growth of ZnSe/GaAs observed by RHEED" J. Crystal Growth. 111. 792-796 (1991)

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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M. Ohishi, H. Saito, J. Fujiwara and K. Ohmori: "Effect of residual strain on the splitting of excitonic luminescence lines in epitaxially grown ZnSe/GaAs" Japan. J. Appl. Phys.29. 1504-1505 (1990)

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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H. Saito, M. Ohishi, A. Watanabe and K. Ohmori: "Strain-induced splitting of free exciton band in epitaxially grown ZnSe on GaAs" J. Cryst. Growth. 101. 727-730 (1990)

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      1991 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Ohishi,H.Saito,H.Torihara,K.Fujisaki and K.Ohmori: "Ultraviolet irradiation effect on the MBE growth of ZnSe/GaAs observed by RHEED" J.Crystal Growth. 111. 792-796 (1991)

    • 関連する報告書
      1991 実績報告書
  • [文献書誌] M.Ohishi,H.Saito,Y.Fujisaki,H.Torihara and Iminjan Alet: "Low temperature growth of ZnSe/GaAs using post-heated molecular beams" Japan.J.Appl.Phys.30. L1042-L1044 (1991)

    • 関連する報告書
      1991 実績報告書
  • [文献書誌] M.Ohishi,H.Saito,H.Torihara,Y.Fujisaki and K.Ohmori: "Molecular beam epitaxially grown ZnSe(001)surface studied by the in-situ observation of RHEED intensity" Japan.J.Appl.Phys.30. 1647-1652 (1991)

    • 関連する報告書
      1991 実績報告書
  • [文献書誌] M.Ohishi,H.Saito,M.Toneta and Y.Fujisaki: "Low temperature growth of ZnSe/GaAs using hot molecular beams" J.Crystal Growth.

    • 関連する報告書
      1991 実績報告書
  • [文献書誌] 斉藤 博,渡部 明: "ハイブリッドモ-ド同期、同期励起色素レ-ザ力による青色領域サブピコ秒パルスの発生" 岡山理科大学紀要.

    • 関連する報告書
      1991 実績報告書
  • [文献書誌] H.Saito,M.Ohishi,A.Watanabe,K.Ohomiri: "Strainーinduced splitting of free exciton band in epitaxially grown ZnSe/GaAs" J.Crystal Growth. 101. 727-730 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] H.Saito,M.Ohishi,J.Fujiwara,K.Ohomiri: "Effect of residual strain on the splitting of excitonic luminescence lines in epitaxially grown ZnSe/GaAs" Japanese J.Applied Physics. 29. 1504-1505 (1990)

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] H.Saito,M.Ohishi,H.Torihara,Y.Fujisaki,K.Ohomiri: "Ultraviolet irradiation effect on the MBE growth of ZnSe/GaAs observed by RHEED" J.Crystal Growth.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] H.Saito,M.Ohishi,H.Torihara,Y.Fujisaki,K.Ohomiri: "MBEーgrown ZnSe surface studied by the in situ observation of the RHEED intensity" Japanese J.Applied Physics.

    • 関連する報告書
      1990 実績報告書
  • [文献書誌] H.Saito,M.Ohishi,H.Torihara,Y.Fujisaki,Iminjan Ablet: "Low temperature MBE growth of ZnSe/GaAs by using postーheated molecular beams" Japanese J.Applied Physics.

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      1990 実績報告書
  • [文献書誌] H.Saito,M.Ohishi,H.Torihara,Y.Fujisaki: "Crystallographic qualities of ZnSe layers grown by MBE on GaAs(001) pretreated by(NH_4)_2S_x" Japanese J.Applied Physics.

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      1990 実績報告書

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公開日: 1990-04-01   更新日: 2016-04-21  

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