| 研究課題/領域番号 |
02650039
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
田中 信夫 名古屋大学, 工学部, 助教授 (40126876)
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| 研究分担者 |
美浜 和弘 大同工業大学, 工学部, 教授 (50023007)
木塚 徳志 名古屋大学, 工学部, 助手 (10234303)
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| 研究期間 (年度) |
1990 – 1991
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| 研究課題ステータス |
完了 (1991年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1991年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1990年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
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| キーワード | ナノメ-タ-電子回折 / 歪超格子 / 量子井戸 / 界面 / 歪解析 / 半導体歪超格子 / 界面歪 / InGaP / InP / 極微小構造解析 |
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| 研究概要 |
(1)平成3年度は,2年度のInP/InGaP超格子界面に存在する歪の検出の実験に引き続き,ガスMBE法で作製したGe/Si界面の構造と歪,欠陥の状態を高分解能電顕法及びナノメ-タ-電子回折で研究した。顕微鏡像からはGeとSiの格子不一致による転位が界面に多数存在しかつその分布はマシュ-ズらの理論に示すように等間隔ではないことを見い出した。またこの転位の近傍をGe側からSi側へナノプロ-ブを走査しナノメ-タ-電子回打図形を連続的に観察することにより、界面でGeの格子間隔から、Siの格子関隔に縮む時に各(hkl)面は対称的に縮むのではなく,各々転位との位置関係に応じて別々の方向に変化することが分かった。
(2)さらに、平成3年度は熱電子鏡を用いた従来のナノメ-タ-電子回打装置の他にNTT(株)との共同研究の一環として電界放射型電子鏡を用いた装置で実験を行った。その結果、電子線プロ-ブの大きさが従来のものと同じ数nmの条件でもナノメ-タ-回打図形中に現われる回打斑点の角度分解能は数倍以上よくなり、半導体歪超格子の界面の局所の単位胞の歪がより正確に測定できることが分かった。
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