| 研究概要 |
1.超音波メカノケミカルポリシング機構の解明
(1)研究概要
半導体素材・シリコンの(100)面を加工面として,エッチング性研磨液中で20KHzの超音波縦振動により加工した。本加工機構を解明するためには超音波振幅を7,13μm,砥粒濃度を5,10wt%,pHを10,12,温度を20〜80℃,ポリシャ圧を5〜40grf,加工時間を10〜60分と変更する実験の他,水のみ,水酸化ナトリウム水溶液のみ,水十砥粒による加工,さらに浸漬式エッチングを行った。
(2)結果の概要
加工速度,加工温度のアレニウスプロットにより,浸漬式エッチングの活性化エネルギ-=10.0Kcal/molが,超音波付加で最大4.23Kcal/molまで減少することが見い出された。また,加工速度には砥粒濃度,超音波振幅の影響が大であった。
2.微細フィ-チャを有するポリシャによる加工
被加工材のシリコンに比べはるかに柔らかい樹脂のポリシャが摩滅することなく本加工が進行することを利用し,樹脂先端に施した微細フィ-チャをシリコンに転写する形式でマイクロストラクチャの製造を図った。微細フィ-チャの形成は樹脂を加熱軟化し型に押し付けることによって行ったが,ナイロンは表面層が炭化するのみ,ポリプロピレンで目的を達っした。
以上,研究成果は日本機械学会第68期全国大会講演会で「超音波メカノケミカルポリシング機構」として口頭発表し,日本機械学会平成三年度総会講演会で「微細フィ-チャを有するポリシャによる超音波メカノケミカル加工」として口頭発表予定である。
|
