超高真空STM/STSによる化合物半導体表面の内因性欠陥の研究

• 研究課題/領域番号: 02855163
• 研究種目: 奨励研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 金属物性
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 富取 正彦 東京工業大学, 総合理工学研究科, 助手
• 研究期間 (年度): 1990
• 研究課題ステータス: 完了 (1990年度)
• 配分額: 600千円 (直接経費: 600千円); 1990年度: 600千円 (直接経費: 600千円)