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量子細線構造の作製と評価

研究課題

研究課題/領域番号 03044094
研究種目

国際学術研究

配分区分補助金
応募区分共同研究
研究機関大阪大学

研究代表者

中島 尚男  大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20198071)

研究分担者 MARIUS Grund  ベルリン工科大学, 固体物理研究所, 助手
前橋 兼三  大阪大学, 産業科学研究所, 教務職員 (40229323)
JURGEN Chris  ベルリン工科大学, 固体物理研究所, 助教授
長谷川 繁彦  大阪大学, 産業科学研究所, 助手 (50189528)
井上 恒一  大阪大学, 産業科学研究所, 講師
DIETER Bimbe  ベルリン工科大学, 固体物理研究所, 教授
研究期間 (年度) 1991 – 1992
研究課題ステータス 完了 (1992年度)
配分額 *注記
10,000千円 (直接経費: 10,000千円)
1992年度: 5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
1991年度: 5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
キーワード分子線成長法 / GaAs / AlGaAs / (110)面 / 成長ステップ / 量子細線構造 / RHEED / 走査型カソ-ドルミネセンス法
研究概要

微傾斜(110)GaAs面上に分子線成長法でGaAsーAlGaAs超格子を成長すると量子細線状の構造が得られる。この量子細線状の構造は分子線成長中に巨大ステップが形成され、この巨大ステップ端の(111)面上と(110)面上とでAlGaAsの組成が異なることに寄因すると考えられる。この巨大ステップの形成機構を調べるため、微傾斜(110)GaAs面上に、GaAs、AlGaAs、AlAsを成長させRHEEDを用いて、ステップ形成過程を観測した。その結果、AlGaAsの場合、約600℃以上の高温では2原子層ステップが、以下の低温では巨大ステップが形成されることが分かった。一方、GaAs、AlAsの場合は温度によらず、常に2原子層ステップが形成され、巨大ステップの形成が混晶の効果であるという新しい知見が得られた。また、(110)、(100)、(111)面をもつ人為的に作製されたメサ構造のある(110)GaAs面上にAlGaAsを成長し、電子線プロ-ブ微小分析法、走査型カソ-ドルミネセンス法で調べた結果、AlGaAsの組成に面方位依存性があることが判明した。これ等の結果から、この現象を用いて量子細線構造の作製が可能であると考えられる。ベルリン工科大学にある走査型カソ-ドルミネセンス法については量子細線構造を評価するために、空間分解能を向上する必要があり、そのため装置の改造を行い、画像処理のための新しいソフトの開発を行った。この装置を用いて予備的な試料で空間分解能の向上を確認した。さらに走査型トンネル顕微鏡については、超高真空チャンバ-を用意し、表面の原子が観察できるまでに準備を整え、量子細線構造の観察が可能となった。

報告書

(1件)
  • 1991 実績報告書
  • 研究成果

    (3件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (3件)

  • [文献書誌] 中島 尚男: "Formation of AlGaAs quantum wireーlike structures on vicinal(110) GaAs substrates by molecular beam epitaxy" Proc.2nd Int.Meeting on Advanced Processing and Characterization Technologies. 10. 76-79 (1991)

    • 関連する報告書
      1991 実績報告書
  • [文献書誌] 長谷川 繁彦: "Formation of quantum well wireーlike structures by MBE growth of AlGaAs/GaAs superlattices on GaAs(110) surfaces" Journal of Crystal Growth. 111. 371-375 (1991)

    • 関連する報告書
      1991 実績報告書
  • [文献書誌] 長谷川 繁彦: "Step structures during MBE growth of GaAs and AlGaAs films on vicinal GaAs(110) surfaces inclined toward (111)B" Surface Science.

    • 関連する報告書
      1991 実績報告書

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公開日: 1991-04-01   更新日: 2017-10-06  

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