| 研究課題/領域番号 |
03205103
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| 研究種目 |
重点領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 東京都立大学 |
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研究代表者 |
梅垣 高士 東京都立大学, 工学部, 教授 (70087287)
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| 研究分担者 |
須田 聖一 東京都立大学, 工学部, 助手 (50226578)
松田 元秀 東京都立大学, 工学部, 助手 (80222305)
山下 仁大 東京都立大学, 工学部, 助教授 (70174670)
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| 研究期間 (年度) |
1991
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| 研究課題ステータス |
完了 (1991年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1991年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | セラミックス / 超イオン伝導体 / ゾレゲルプロセス / 高密度電池 / ガラスセラミックス / ナトリウムイオン伝導 / 厚膜 / 薄膜 |
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| 研究概要 |
我々はNa_2OーRe_2O_3ーP_2O_5ーSiO_3(Re:希土類)系の新物質NarpsioーIII、NarpsioーV、NarpsioーIXの基礎および応用研究を行なっている。ガラスからのガラスセラミックNarpsioーVの結晶化に関し、これまでにガラスセラミックNarpsioーV(GCーNarpsioーV)においては、粒界に存在する体積分率0.1%以下の微量の残留ガラスがバルク全体の物性に大きく影響を及ぼすことを明らかにした。また、NarpsioーIIIまたはNarpsioーIXがNarpsioーVの前駆相(準安定相)であることも見いだした。本年度はY系Narpsioにおける結晶化過程と高温安定相への相転移に関する基礎研究と、Gd系ガラスセラミックNarpsioの調製条件の整備を主に行なった。
○Y系Narpsioにおける結晶化過程と高温安定相への相転移
NarspioーIII→-V相転移は希土類イオンの含有量と種類、およびリン酸のケイ酸置換量に依存していることを明らかにした。また、本年度の中間報告書で報告したようにこの相転移速度もこれらの因子に強く影響される。Yイオンの合有量により相転移に要する活性化エネルギ-は500ー1000kJ/molの範囲であった。この事実により12員環骨格構造を繋ぐ役割を担う6配位置の希土類イオンの周辺の転移に伴う変位が律速過程であるものと考えている。
○Gd系Narpsioのガラスセラミック調製と導電性
昨年度の研究成果に報告したようにY系Narpsioの生成に関する組成依存性はイットリウムイオンとリン酸置換量に依存する二次元的領域で表現できるのに較べ、NarpsioーVの生成領域はほぼ直線的でY系Narpsioに較べ厳密な組成の選択が必要であると言える。
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