| 研究課題/領域番号 |
03216207
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| 研究種目 |
重点領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
岩澤 康裕 東京大学, 理学部, 教授 (40018015)
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| 研究分担者 |
朝倉 清高 東京大学, 理学部, 助手 (60175164)
有賀 哲也 東京大学, 理学部, 助手 (70184299)
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| 研究期間 (年度) |
1991
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| 研究課題ステータス |
完了 (1991年度)
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| 配分額 *注記 |
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
1991年度: 2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
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| キーワード | 固体表面 / 振動分光 / 蛍光EXAFS / レ-ザ-・デポジション / 酸化コバルト / エピタキシャル成長 |
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| 研究概要 |
レ-ザ-・デポジション法は、半導体基板上に直接サブミクロン・オ-ダ-の回路パタ-ンを作製しうる次世代極微細デバイス作製技術として多くの注目を集めている.その実現のためにはキ-プロセスである表面反応素過程を解明する必要がある.本研究では、界面構造を基板表面にたいして平行方向と垂直方向に独立に決定しうる新しい表面構造解析手法である偏光全反射蛍光EXAFSと、表面での化学反応過程の解明にきわめて有効な高感度振動分光法である高分解能電子エネルギ-損失分光法を用いて、表面での化学反応により超薄膜形成過程の追跡を試みてきた.今年度は、主としてα‐アルミナ表面上にジコバルトオクタカルボニル(dicobaltoctacarbonyl)のCVDにより成長させた酸化コバルト超薄層に関して、偏光全反射蛍光EXAFSにより検討した.実験は、高エネルギ-物理学研究所放射光実験施設のビ-ムラインBLー7CおよびBLー14Aにおいて行なった.s偏光、p偏光のいずれの場合にも、高いS/B比のEXAFSスペクトルが得られた.これのフ-リエ変換により得られた動径分布関数のピ-ク位置は、スピネル構造を有するバルクCo_3O_4と一致した.しかし、各ピ-クの強度比はs偏光とp偏光とで著しく異なった.このことから、α‐アルミナ(0001)表面上にCo_3O_4の超薄層が特定の方位に成長していることがわかった.さらに、モデルを用いたシミュレ-ションにより、Co_3O_4とα‐アルミナとのエピタキシャル関係を明らかにした.
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