| 研究分担者 |
吉川 明彦 千葉大学, 工学部, 教授 (20016603)
松村 正清 東京工業大学, 工学部, 教授 (30110729)
坪内 和夫 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (30006283)
垂井 康夫 東京農工大学, 工学部, 教授 (10143629)
岩井 荘八 理科学研究所, レーザ科学研究グループ, 研究員 (40087474)
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| 研究概要 |
本研究は,成膜時に光を照射する光CVD法により各種半導体・金属・絶縁膜などの成膜を行ない,光CVD法の基礎メカニズムを解明することを目的として遂行された.その結果以下に示す研究成果が得られた.
水銀増感光CVDほにより得られた超高濃度ド-ピング膜を熱アニ-ルすることにより,成膜時におけるPの不活性化の原因を究明することを試みた.その結果,空孔の回りに4つのP原子が集まった複合欠陥が生成するというモデルを新しく提案し,実験結果を説明することに成功した.
表面光吸収法(SPA法)を用いてArレ-ザ照射されたGaAs基板上におけるTMGの光分解過程を調べ,レ-ザALEの成長機構を検討した.
Ta_2O_5の膜析出の素反応過程を解明するため,ガス導入時の任意の時間に光照射を行なうディジタル光CVD法を行ない,Ta原料の表面光励起が律速段階であることを示した.
ULSI技術におけるAl形成法として,ジメチルアルミニウムハイドライドとH_2を用いたハイブリッド励起CVD法を行なった.その結果,アスペクト比3以上,直径0.3μmのビアホ-ルへの選択Al成長に成功した.また,選択成長のメカニズムとして「表面電気化学反応」を提案した.
レ-ザ溶融再結晶化法による多結晶Si膜の粒径を増大させるため,レ-ザ溶融時のSi薄膜の過渡温度分布を解析した.その結果,新しいレ-ザ溶融法を発案・検証し,多結晶Siの粒径を従来法に比べ3桁程度大きくすることに成功した.
ZnSeのArレ-ザ励起MOVPEについて,原料ガスの分子構造の理論計算,および異種のSe原料を用いての成膜実験により,光触媒反応による成膜機構を検討した.
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