| 研究課題/領域番号 |
03402024
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| 研究種目 |
一般研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 東北大学 (1994)
広島大学 (1991-1993) |
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研究代表者 |
八百 隆文 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (60230182)
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| 研究分担者 |
吉村 雅満 広島大学, 工学部, 助教授 (40220743)
朱 自強 東北大学, 金属材料研究所, 助手 (10243601)
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| 研究期間 (年度) |
1991 – 1994
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| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
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| 配分額 *注記 |
28,600千円 (直接経費: 28,600千円)
1994年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
1993年度: 5,800千円 (直接経費: 5,800千円)
1992年度: 7,400千円 (直接経費: 7,400千円)
1991年度: 13,600千円 (直接経費: 13,600千円)
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| キーワード | STM / 原子・分子操作 / 選択的化学反応 / 半導体表面 / 原子・分子吸着 / 材料プロセシング / 電子線誘起化学反応 / 走査トンネル顕微鏡 / 分子吸着過程 / 電界蒸発 / 近接効果 / 走査プローブ顕微鏡 / 単原子操作 / 単分子操作 / 吸着分子 / ハロゲンガス / レストアトム / アドアトム / 電子的励起 / ナノテクノロジー / 表面反応プロセス / ナノ構造 / 電子線励起プロセス / 材料プロセス |
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| 研究概要 |
本研究では、STMによる(1)半導体表面の局所構造解析、(2)原子・分子吸着半導体表面の局所構造と電子状態解析、をとうして半導体表面に対する理解を深め、この基礎の上に、(3)半導体表面における原子スケールの材料プロセシング技術を開発した。具体的には、(1)半導体表面の局所構造解析では、Si(100)表面での固相エピタキシプロセスの解明、ステップの詳細構造の解明、(2)原子・分子吸着半導体表面の局所構造と電子状態解析では、A12C16吸着初期過程の解明、HF処理Si表面の評価、Al吸着Si(111)表面構造の解析、を行い、(3)A12C16吸着Si(111)表面における原子・分子操作、(C2H5)3Ga分子吸着HF処理Si(111)表面におけるGaナノドットの堆積を行った。A12C16吸着Si(111)表面における原子・分子操作では、解離吸着した単一塩素原子の脱離、AlClx分子の脱離、AlClx分子の移動、解離によるAl原子の生成等に成功した。原子・分子操作の機構については、当初予期した電子の局所注入による局所的な化学反応の即進効果か、あるいは、深針1表面原子の近接作用による効果によるものと考えられる。特に注目すべき点は、Al原子の選択的解離吸着が可能である点であり、(C2H5)3Ga分子電界誘起解離機構によるGaナノドットの堆積より、さらに微小な構造が形成される可能性が示される。
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