| 研究課題/領域番号 |
03452078
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
万波 通彦 京都大学, 工学部, 教授 (60025294)
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| 研究分担者 |
藤居 義和 京都大学, 工学部, 助手 (80238534)
鈴木 康文 京都大学, 工学部, 助手 (00196784)
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| 研究期間 (年度) |
1991 – 1992
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| 研究課題ステータス |
完了 (1992年度)
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| 配分額 *注記 |
5,100千円 (直接経費: 5,100千円)
1992年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
1991年度: 3,700千円 (直接経費: 3,700千円)
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| キーワード | 表面ブロッキング / 斜入射イオン散乱 / 電子移行反応 / 表面阻止能 / 表面欠陥 / 表面歪 |
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| 研究概要 |
結晶表面の欠陥の状態を研究するために新たに提案した「表面ブロッキング法」の実験技術を開発した。またこれと平行して、結晶表面におけるイオンの斜入射散乱により表面状態の評価を行う手法を確立した。
研究ではまず、MeVのHeイオンを結晶に照射し、表面原子によって表面にほぼ平行に散乱されたイオンを半導体検出器によって検出し、表面ブロッキングを受けたイオンの収率とエネルギー損失を測定した。これにより表面ブロッキングを受けたイオンが表面原子配列に大きく影響されることを示し、「表面ブロッキング法」の基礎を確立した。その際に測定した表面ブロッキングイオンのエネルギー損失から、表面極近傍の阻止能を評価出来ることを示した(Phys.Lett.A 163(1992)97)。さらに、表面ブロッキングイオンのエネルギースペクトルを高分解能で測定するために、斜入射型90ﾟ扇形磁場エネルギー分析器を設計し製作した。これを用いて表面の各原子層から散乱されたイオンを分離して測定することに成功した(Phys.Rev.Lett.68(1992)3797)。この分析器を用いて、表面第1原子層で散乱されたイオンのエネルギー損失を測定することにより表面ステップ密度を評価することが可能であることを示した。
これらの研究と平行して、高速イオンの斜入射散乱を用いて、テルル化錫結晶上の鉛カルコゲナイドのエピタキシャル成長初期の段階で、結晶表面に大きな表面歪が導入されていることを見いだした。この研究により、斜入射イオン散乱による表面及びエピタキシー薄膜の新しい評価法を確立した(応用物理第60巻p.1207-1213)。一方、高速イオンの斜入射散乱法に適した小型の高分解能電磁石エネルギー分析器を設計、製作した。これを用いて、表面チャネリングイオンのエルネギー損失を測定して、表面阻止能のうちで、表面電子の集団励起に対応する部分を実験的に求めることができた(Phys.Rev.A Vol.47,No3印刷中)。
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