| 研究課題/領域番号 |
03452153
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 富山大学 |
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研究代表者 |
高橋 隆一 富山大学, 工学部, 助手 (80019223)
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| 研究分担者 |
平田 豊明 大阪真空機器製作所, 開発本部, 開発課長代理
池田 長康 富山大学, 工学部, 教授 (10222895)
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| 研究期間 (年度) |
1991 – 1992
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| 研究課題ステータス |
完了 (1992年度)
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| 配分額 *注記 |
5,800千円 (直接経費: 5,800千円)
1992年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1991年度: 3,800千円 (直接経費: 3,800千円)
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| キーワード | 磁性材料 / 薄膜 / 磁気記録 / 記録媒体 / スパッタ装置 / トロイダルプラズマ / プラズマフリー / 中性粒子 / プラズマフリ- |
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| 研究概要 |
トロイダルプラズマ式(TP)スパッタ法を用いて、プラズマ中の高エネルギー粒子の挙動を調べ、それらとNdFeB系化合物薄膜の構造・特性との関係を明確にすると共に新しい記録媒体としての特性を評価した。
(1).Feターゲット上にNd、Bのチップを載せた同時スパッタ法により、Arガス圧、投入電力を変化させながら、膜厚0.2〜1μmのNdFeB薄膜を形成しターゲットの浸食状況、膜形成速度、基板温度などを調べた。
1.ターゲット面近傍で面に垂直な磁界成分が増加するようにNdFeB磁石を配置すれば、高エネルギーγ電子の封じ込めが強くなり、1mTorr以下の低Arガスまで安定放電が持続し、印加電圧が350Vと低下し、プラズマフリーで膜が形成されることが示された。
2.プラズマポテンシャルを測定し、基板への高エネルギーγ電子の飛来量が通常のスパッタ法よりも少ないことが示された。
3.高密度プラズマの形成により膜形成速度0.19μm/min、基板温度60℃のスパッタができ、ターゲットの面積利用効率が90%まで向上した。
(2).NdFeB複合ターゲットの表面から放出される高エネルギー中性粒子の同定をArガス圧、電力を変化させながら行った。ターゲット面から1m離れた基板(コレクター)に入射される中性粒子の飛行時間を測定した。測定スペクトルから、コレクターに入射される粒子はフォトンであり、Ar、Fe、Nd、B、に起因するものは観測されなかった。本装置では中性粒子束の基板衝撃はなく膜に影響を与えないと推定した。
(3).NdFeB膜の構造は組成によりアモルファスまたは結晶になり、磁化容易軸が膜面に垂直で、飽和磁化:1kemu/cc、保磁力:1.5koeであり垂直磁気記録媒体として有望であることが分かった。
(4).今後はNdFeBハードディスクを作製して、垂直磁気記録・再生実験を行いながら記録媒体としての将来性を検討する。
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