| 研究課題/領域番号 |
03453014
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物理化学一般
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| 研究機関 | 東京都立大学 |
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研究代表者 |
阿知波 洋次 東京都立大学, 理学部, 助教授 (20002173)
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| 研究分担者 |
鈴木 信三 東京都立大学, 理学部, 助手 (10226516)
城丸 春夫 東京都立大学, 理学部, 助手 (70196632)
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| 研究期間 (年度) |
1991 – 1992
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| 研究課題ステータス |
完了 (1992年度)
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| 配分額 *注記 |
6,900千円 (直接経費: 6,900千円)
1992年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1991年度: 4,900千円 (直接経費: 4,900千円)
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| キーワード | 炭素クラスター / 固体表面 / 衝突 / 2次電子放出 / 負イオン / フラーレン / 構造是性体 / 構造異性体 / RHEED / 半導体クラスタ- / レ-ザ-蒸発法 / 飛行時間型質量分析 / 電子分光 / フラ-レン |
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| 研究概要 |
炭素、シリコンの負イオンクラスターをMoS_2単結晶表面に衝突させて、2次電子放出、散乱イオン、基板電流を入射エネルギーの関数として測定した。低い衝突エネルギーで電子放出効率がピークをもつという新しい現象について詳細な検討を加えた結果、この機構はクラスターのポテンシャル曲面に強く支配されていることがわかった。つまり負イオンと中性のポテンシャル面の交差が低いエネルギーでおきるものは低い衝突エネルギーで電子が脱離するが、一方交差が高いエネルギーで起こる場合には大きな衝突エネルギーが必要であり、その場合電子脱離がターゲット表面のより近傍(又は内側)で起こるため、電子は真空中に放出されず基板に流れると考えると実験事実がうまく説明できる(実際基板電流は電子放出と相補的な関係にあることを確認した)。今後の課題としては、より高いエネルギー分解能で実験を行なうことが重要である。またシリコン単結晶をターゲットとした実験を行うために超高真空槽を作成し、本課題で購入したRHEEDを用いてシリコン表面の評価を行なった。
一方、電子放出のピークがクラスターの構造に非常に敏感であることを利用して、衝突実験からクラスターの構造に関する知見を得ることを試みた。本研究では炭素クラスターをレーザー蒸発法およびフラーレンのレーザー脱着という二種類の方法で発生させ衝突実験を行なった。その結果、電子放出効率はクラスターの発生法によって全く異なっていることがわかった。このことから、レーザー蒸発のように原子からクラスター成長していく場合とフラーレンから分解していく場合で、別の構造のクラスターができている。つまり低温でのクラスター成長ではフラーレンはできない、という重要な結論が得られた。
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