研究課題/領域番号 |
03640301
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研究種目 |
一般研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
固体物性
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
毛利 信男 東京大学, 物性研究所, 教授 (40000848)
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研究分担者 |
小黒 勇 東京大学, 物性研究所, 助手 (80169268)
村山 千壽子 (村山 千寿子) 東京大学, 物性研究所, 教務職員 (80174316)
高橋 博樹 東京大学, 物性研究所, 助手 (80188044)
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研究期間 (年度) |
1991 – 1992
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研究課題ステータス |
完了 (1992年度)
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配分額 *注記 |
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1992年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
1991年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
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キーワード | セリウム・プニクタイド / 低温・超圧力 / ヘビーフェルミオン / 結晶場 / 近藤効果 / 極少数キャリアー / 相図 / 相転移 / セリウム・プニクタイト / 低温・超高圧 / 高密度近藤 / ヘビ-フェルミオン / 高圧効果 |
研究概要 |
本研究の目的はNaCl型結晶構造をもつセリウム・プニクタイトCex(X=P,As,Sb,Bi)について超高圧下の物性を系統的に明らかにすることである。この二年間の研究成果は下記のとおりである。 1.上記のすべての試料について電気抵抗の温度依存性を4.2K-300Kの温度範囲、一気圧-8万気圧の圧力範囲にわたって明らかにした。 2.CePの高圧下の磁化率の挙動を1万気圧まで明らかにした。 3.CePの高圧下の比熱測定を5千気圧まで測定し、磁気相転移の挙動を明らかにした。 4.電気抵抗の解析を行うことによってCeSb,CeBiについては磁気相転移に関して、CePについては磁気相転移、高密度近藤状態-通常金属状態、の相の間の関係を圧力-温度相図として提出した。CeAsはCePと非常に類似した相図が得られた。 5.CeAs,CeSbの磁気抵抗の挙動を1万9千気圧の圧力下で、15テスラまで明らかにした。 6.CeAsのシュビニコフ・ド・ハースの測定からフェルミ面の高圧下での挙動を観測した。 7.CeSbでは30K付近に抵抗の異常増加が見いだされた。 8.CeP,CeAsの中性子回析実験によって磁気構造と結晶場の圧力依存性を研究中である。 これらの成果は日本物理学会、日本高圧力学会、仙台で行われた"強相関電子系に関する国際会議"、京都で行われた"第五回高圧半導体国際会議"で報告した。この二つの国際会議では本研究代表者が招待講演をおこなった。また1993年6月にコロラドで行われる高圧科学と技術に関するAIRAPT国際会議にも本研究代表者が招待講演としてセリウム・プニクタイトの成果を報告することになっている。
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