| 研究概要 |
1.ACu_7S_4(A=Tl,K,Rb)の相転移
1)TlCu_7S_4
電気抵抗測定によれば245,190,170Kに相転移がある。熱起電力測定においても対応する温度に異常がみられた。しかし帯磁率測定では170Kに異常はみられなかった。
2)KCu_7S_4
電気抵抗測定により245Kと180Kに相転移が観測された。これらは熱起電力、帯磁率測定によっても観測された。低温TEM観察の結果、245K以下で001方向に2倍の超周期がみられ、さらには180K以下では、それらに加えて001方向に1.5倍,110方向に3倍の衛星班点がみられた。今のところ単なる格子上の超周期なのか、CDWによるものなのかは不明である。
3)RbCu_7S_4
電気抵抗は180Kに山がみられ、40Kでは半導体から金属への転移がある。180K以下でもTEMによる超周期スポットは観察されなかった。
2.TlCu_7Se_4の相転移
150K付近で金属から半導体への相転移がみられる。
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