| 研究課題/領域番号 |
03650019
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 東京都立大学 |
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研究代表者 |
奥村 次徳 東京都立大学, 工学部, 教授 (00117699)
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| 研究分担者 |
海部 宏昌 東京都立大学, 工学部, 助手 (40224331)
志村 美知子 東京都立大学, 工学部, 助教授 (60087294)
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| 研究期間 (年度) |
1991 – 1992
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| 研究課題ステータス |
完了 (1992年度)
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| 配分額 *注記 |
2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
1992年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1991年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
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| キーワード | ひ化ガリウム / プラズマフッ化 / フッ化物 / X線光電子分光 / アモルファスひ素 / リモートプラズマ / 水素クリーニング / 表面損傷 / X線光電子分光法 / 透過電子顕微鏡 |
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| 研究概要 |
GaAs表面の低温フッ化に関して、以下の研究成果が得られた。
1)プラズマ励起した四フッ化炭素(CF_4)の照射により、300℃以上でGaAs表面にガリウムフッ化化物が形成できる。
2)X線光電子分光法によりフッ化膜の組成分析を行なった結果、膜中には酸素も含まれること、界面付近に基板から遊離したひ素が存在することが明らかになった。
3)フッ化物を形成した後作製したMIS構造では、水素プラズマ照射をしたのちSiO_2堆積したMISとともに、比較的良好なIS界面が実現される。
4)フッ化膜中への酸素の導入経路として、大気中の水分の取り込みが考えられる。そこで、表面保護膜としてa-Siを堆積したが、効果はそれほど大きくない。
5)基板表面に存在するGaAsの自然酸化膜も酸素源となっている可能性があり、この除去を、新たに。設計・試作したリモートプラズマ発生装置により試みた。その結果、イオン種が支配的な水素プラズマ照射により、300℃以下の低温でも酸化膜除去が可能なことが分かった。このとき、基板に電子が到達しにくいバイアスを印加すれば、GaAs表面に導入される欠陥濃度も非常に小さくできる。
6)上記リモートプラズマ装置を用いることによって、フッ化プロセスにおいても高エネルギー粒子の照射により発生する欠陥の低減が期待できる。
7)界面に残留する遊離ひ素の低減が残された課題である。
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