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液晶(PーペンチルーP'ーシアノビフェニル 通称5CB)をシリコン板で挟み、0.01mmの厚さの膜状のセルとした。このセルを、赤外線分光器にかけて、透過率を測定すると、次のような結果となった。
1)シリコン板だれでは、波長0.5μmの赤外線については透過率約45%、1μm辺りでは低下して約30%であった。
2)液晶をはさんだセルでは、スペクトラルな吸収帯が多数現れるが、吸収の小さい部分(透過の大きな部分)ではおおよそ10%の透過率であった。
シリコン板は、純粋なものではなくド-ビングしたもので、半導体としては導電率の大きな材料である。このシリコン板を電極として、液晶に電場をかけ、電場の有無と赤外光透過率との関係を、調べた。測定は、次の二つを行った。A)400℃の黒体炉を液晶セルをとおしてサ-モグラフィ-で観測する。B)赤外線分光器で透過率を測定する。その結果、つぎのことが分かった。
3)電場をかけるときと、電場を解除するときとを比べると、かけるときのほうが解除するときよりも、応答が速い。
4)電場をかけないとき、セルを通して見た黒体炉は、105℃縄度の温度に観測される。電場をかけると、その温度が110℃程度に上昇して観測される。この温度の上昇分だけ、電場をかけることによって、赤外線透過率は大きくなっている。
5)波長域全般(0.4μm〜2μm)にわたり、電場をかけることにより、透過率は約1%大きくなる。
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