| 研究課題/領域番号 |
03650561
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
金属材料
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
瀬尾 眞浩 北海道大学, 工学部, 教授 (20002016)
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| 研究分担者 |
安住 和久 北海道大学, 工学部, 助手 (60175875)
高橋 英明 北海道大学, 工学部, 助教授 (70002201)
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| 研究期間 (年度) |
1991 – 1992
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| 研究課題ステータス |
完了 (1992年度)
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| 配分額 *注記 |
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1992年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1991年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
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| キーワード | エレクトロルミネッセンス / 発光スペクトル / Siのアノード酸化 / アノード酸化皮膜 / 金属のアノード酸化 / 金属の前処理 / P型Siのアノ-ド酸化 / アノ-ド酸化皮膜 / シリカ皮膜 |
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| 研究概要 |
本研究は金属および半導体のアノード酸化にともなうEL現象の測定を試み、EL現象とアノード酸化物皮膜の成長過程および皮膜の欠陥構造との関連性を調べることよりアノード酸化物皮膜のその場測定手法としての有用性を検討することを目的として計画された。
研究内容は、以下の項目からなっている。
1.KNO_3を含むエチレングリコール溶液中でのp型Siのアノード酸化とEL挙動
2.p型Siのアノード酸化挙動およびEL挙動にたいする塩化物イオン添加の影響
3.Na_2SO_4水溶液中でのNbのアノード酸化とEL挙動におよぼすNb前処理の影響
4.酸化物皮膜で覆われたNbおよびTiのK_2S_2O_8を含むNaCl水溶液中でのカソード分極にともなうEL挙動
研究項目1および2については、p型Siのアノード酸化物皮膜(SiO_2)の成長およびその欠陥構造とEL挙動が密接な関係があり、ELスペクトルからSiO_2皮膜中のトラップ準位およびSiO_2/Si界面の準位等の情報が得られる可能性のあること,ならびに塩化物イオンによるSiO_2皮膜の破壊にELが敏感に応答することからEL挙動から皮膜の破壊をモニターできることが明らかにされた。また、研究項目3から金属のアノード酸化にともなうEL挙動の再現性が前処理により大きく左右されること、特にエメリー紙による機械研摩の際にSiC等が不純物として表面に残りEL源となることが示唆された。さらに、研究項目4では、金属の種類および酸化物皮膜の作成法(アノード酸化と熱酸化)でカソード分極によるEL挙動が異なることから皮膜の欠陥構造および半導体的性質の相違を評価できることが示唆された。以上のように本研究は当初の研究計画の内容をほぼ達成することができた。
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