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触媒CVD法による太陽電池炭化シリコン層作製についての基礎的研究

研究課題

研究課題/領域番号 03F03287
研究種目

特別研究員奨励費

配分区分補助金
応募区分外国
研究分野 反応・分離工学
研究機関北陸先端科学技術大学院大学

研究代表者

梅本 宏信  北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助教授

研究分担者 ANSARI S. A.  
ANSARI Shafeeque  北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 外国人特別研究員
研究期間 (年度) 2003 – 2005
研究課題ステータス 完了 (2005年度)
配分額 *注記
1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
2005年度: 200千円 (直接経費: 200千円)
2004年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
キーワード触媒 / CVD / Cat-CVD / 有機シリコン / 窒化シリコン / 炭窒化シリコン / 薄膜
研究概要

本年度は、主に炭化シリコンや炭窒化シリコン薄膜作製のために使用が検討されている有機シリコン系ガスの触媒分解を行い、質量分析法による分解生成物の同定を行った。有機シリコンガスとしては、テトラメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリスジメチルアミノシラン等を用いた。有機シリコン系ガスを真空チャンバー内に噴散させ、通電加熱したタングステン線等の触媒体上で分解させた。分解生成物を三通りの質量分析法(光イオン化-飛行時間型質量分析法、電子衝撃型四重極質量分析法およびイオン付着型四重極質量分析法)によって同定した。光イオン化質量分析法では、Nd:YAGレーザーの9倍波(118nm)で分解種をイオン化させ、反射式飛行時間型質量分析計で質量選別したのち、マイクロチャンネルプレートによって検出した。イオン付着型質量分析法では、リチウムイオンを付着させることによりフラグメンテーションを起こさせることなしにイオン化させた。その結果、Si-N結合の方がSi-C結合よりも強いにもかかわらず、選択的に解離することが分かった。これは、N原子の孤立電子対が触媒体と相互作用し、Si-N結合が切れた状態で解離吸着した後にラジカルとして放出されるためと考えられる。また、メタンやテトラメチルシランの触媒分解過程では、触媒体として、タングステンよりもモリブデンかレニウムを用いた方が炭化による分解効率の減少が少なく、有利であることが判明した。なお、グラファイト触媒は高温でも安定ではあるが、分解効率は金属触媒に比べて一桁以上落ちることが判明した。

報告書

(1件)
  • 2004 実績報告書
  • 研究成果

    (6件)

すべて 2005 2004

すべて 雑誌論文 (6件)

  • [雑誌論文] Quantification of Gas-phase H-atom Number Density by Tungsten Phosphate Glass2005

    • 著者名/発表者名
      T.Morimoto et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44・1B

      ページ: 732-732

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] H_2 Dilution Effect in the Cat-CVD Processes of the SiH_4/NH_3 System2005

    • 著者名/発表者名
      S.A.A.G.Ansari et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 印刷中

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Various Applications of Silicon Nitride by Catalytic Chemical Vapor Deposition for Coating, Passivation and Insulating Films2005

    • 著者名/発表者名
      A.Masuda et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 印刷中

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Catalytic Decomposition of HCN on Heated W Surfaces to Produce CN Radicals2004

    • 著者名/発表者名
      H.Umemoto et al.
    • 雑誌名

      J.Non-Cryst.Solids 338-340

      ページ: 65-65

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Cat-CVD (Hot-wire CVD) ; How Different from PECVD in Preparing Amorphous Silicon2004

    • 著者名/発表者名
      H.Matsumura et al.
    • 雑誌名

      J.Non-Cryst.Solids 338-340

      ページ: 19-19

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Production Yields of H(D) Atoms in the Reaction of N_2(a ^1IIg, ν=0) with H_2 and D_22004

    • 著者名/発表者名
      H.Umemoto et al.
    • 雑誌名

      Chem.Phys. 303・1,2

      ページ: 101-101

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書

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公開日: 2004-04-01   更新日: 2024-03-26  

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