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半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)

研究課題

研究課題/領域番号 04223103
研究種目

重点領域研究

配分区分補助金
研究機関東京工業大学

研究代表者

高橋 清  東京工業大学, 工学部, 教授 (10016313)

研究分担者 廣田 栄治  総合研究大学院大学, 副学長 (30011464)
服部 秀三  名古屋産業科学研究所, 電子機器部長 (10023003)
西澤 潤一  東北大学, 学長 (20006208)
伊藤 糾次  早稲田大学, 理工学部, 教授 (90063205)
明石 和夫  東京理科大学, 理工学部, 教授 (00013095)
研究期間 (年度) 1993
研究課題ステータス 完了 (1993年度)
配分額 *注記
6,000千円 (直接経費: 6,000千円)
1993年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
1992年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
キーワード光励起プロセス
研究概要

文部省科学研究費重点領域研究「光励起プロセス」の、3年間にわたる研究が平成5年3月に終了した。そこで本年度は本重点領域の3年間の研究成果の集大成として、本研究成果を外国にも公表すると同時に、広く研究内容を討論することを目的として、国内の関係研究者は勿論、国外のこの分野の研究者にも参加を呼びかけ、下記のように最終報告会を開催した。尚海外からの参加者も多かったので、研究報告等はすべて英語で行った。
日時:平成5年10月13日〜15日の3日間
場所:仙台国際センター
参加国数:10カ国
参加者数:137名(内 国内113名、国外24名)
講演件数:97件
(内 大学70、国公立研究機関11、民間企業16)
Proceedings 用提出論文:81編
(内招待講演11、一般論文70)
研究報告内容は、光励起プロセスの物理、表面反応機構、結晶成長機構、評価法、などの広い範囲にわたっている。最終日には、光励起プロセスの応用分野に焦点を絞って報告会を行った。当日は英文の研究報告概要を作成し、参加者に配布した。また後日、国内・国外の参加者の研究報告ならびに講演内容も含めて約600ページにわたる英文最終報告書をElsevierから出版した。
更に本重点領域研究の成果を、広く一般の方々にも利用していただく意味で本研究成果を骨子とした内容の「光励起プロセスの基礎」と題した成書を、工業調査会から出版した。

報告書

(2件)
  • 1993 実績報告書
  • 1992 実績報告書
  • 研究成果

    (13件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (13件)

  • [文献書誌] Kiyoshi TAKAHASHI: "Photo in duced Oxidation of Ga_2Se_3 by MBE" Jpn.J.A.Phys.31. L887-L889 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] Makoto KONAGAI: "Defect Evaluation of P^+-doped Si Films at Low Temp." Jpn.J.A.Phys.32. 1884-1888 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] Makoto KONAGAI: "Atomic Layer Epitaxy of N-doped ZnSe" J.Elect.Materials. 22. 437-442 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] Akira YAMADA: "Optimization of ZnO Films for a・Si Solar Cells" Jpn.J.A.Phys.32. 3764-3769 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] Makoto KONAGAI: "Self-Limiting Growth of Zn Chalcogenides" Thin Solid Films. 222. 256-260 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] Kiyoshi TAKAHASHI: "Atomic Layer Epitaxy of ZnSe on GaAs by MBE" J.Crystal Growth. 116. 283-288 (1992)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] 高橋 清 他: "光励起プロセスの基礎" 工業調査会, 350 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] Makoto KONAGAI: "Wide bandgap II-VI compounds grown by MOMBE" J.Crystal Growth. 120. 261-268 (1992)

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書
  • [文献書誌] Yasushi TAKEMURA: "Self-limiting growth with 0.5 monolayer per cycle in atomic layer epitaxy of ZnTe" J.Crystal Growth. 117. 144-147 (1992)

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書
  • [文献書誌] Ying JIA: "Annealing characterization of heavily p-doped Si epitaxial films at low temperature" 21st International Conference on the Physics of Semiconductors. (1992)

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書
  • [文献書誌] Makoto KONAGAI: "Photo-CVD processing for amorphous silicon solar cells" 6th International Photovoltaic Science and Engineering Conference. (1992)

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書
  • [文献書誌] Wilson Walery WENAS: "Electrical and optical properties of boron-doped ZnO thin films for solar cells grown by metalorganic chemical vapor deposition" J.Appl.Phys.70. 7119-7123 (1992)

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書
  • [文献書誌] Eisuke TOKUMITSU: "Heavily carbon doped p-type InGaAs by MOMBE" J.Crystal Growth. 120. 301-305 (1992)

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書

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公開日: 1992-04-01   更新日: 2016-04-21  

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