| 研究課題/領域番号 |
04402018
|
|---|
| 研究種目 |
一般研究(A)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性
|
|---|
| 研究機関 | 学習院大学 |
|---|
研究代表者 |
小川 智哉 学習院大学, 理学部, 教授 (50080437)
|
|---|
| 研究分担者 |
馬 敏雅 学習院大学, 理学部, 客員研究員 (60255263)
楢岡 清威 学習院大学, 理学部, 客員研究員
雄山 泰直 学習院大学, 理学部, 助手 (20265573)
坂井 一文 学習院大学, 理学部, 助手 (40205703)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1992 – 1994
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
|
| 配分額 *注記 |
17,400千円 (直接経費: 17,400千円)
1994年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
1993年度: 5,600千円 (直接経費: 5,600千円)
1992年度: 10,300千円 (直接経費: 10,300千円)
|
|---|
| キーワード | 光散乱 / トモグラフィー / 光散乱トモグラフィー / シリコン単結晶 / 砒化カリュゥム単結晶 / セレン化亜鉛単結晶 / 格子欠陥 / 転位組織 / シリコン・ウエハ- / 赤外線 / イントリンシック・ゲッタリング / Light Scattering / Defects in Crystals / Semiconductors / Characterization / 赤外線散乱 / Brewster角照明 / 半導体ウエハー / 非破壊検査 / 非接触検査 / 結晶欠陥 |
|---|
| 研究概要 |
直接遷移型半導体のGaAs結晶とZnSe結晶内の欠陥を光散乱トモグラフィーで観察した。
(1)前者では1-1)EL2と通称されている深い準位が、赤外線散乱トモグラフィーで明瞭に検出できること。1-2)EL2は1μm近傍の赤外線領域で、散乱も吸収もEL2準位にトラップされている電子の共鳴によって生ずること。1-3)GaAs結晶に赤外光を重ね合わせて照射すると、EL2準位にある電子数が変化するため、EL2で散乱される赤外線レーザーの強度が変化すること、などを確認し実証した。
(2)ZnSe結晶は、青色レーザー用材料として、現在、注目されている。2-1)国産のZnSe結晶をラマン散乱トモグラフィーで観察したところ、双晶が沢山存在することが判った。これは青色レーザー用材料としては不適格なので、2-2)ロシアから気相で成長したZnSe結晶を輸入した。この結晶には双晶は無かったが、新たにdislocation wallと命名した複雑な転位組織が存在することを見付けた。目下、2-3)熱処理、外部応力印加などによって転位組織がどのように変化するかを検討中である。
(3)半導体の本命はシリコン単結晶である。Cz-Siウエハ-の鏡面研磨面直下にある欠陥を検出するため、まず、3-1)Brewster角照明法、すなわち、照明光をp偏光とし、これをBrewster角で入射して、エウハ-表面での反射を無くすると、表面下の欠陥が検出できること。3-2)さらに明瞭に、かつ、感度よく欠陥を検出するため、光がウエハ-鏡面の内側で全反射するようにdenuded zoneを通してレーザーを入射した。この方法では、欠陥で散乱した光のみが鏡面を通して外に出て来るので、鏡面研磨直面下にある極微小欠陥と格子間酸素を高いコントラストで検出できる事、などを確認した。
|
