| 研究分担者 |
角田 陽 東京都立大学, 工学部, 助手 (60224359)
横川 宗彦 東京都立大学, 工学部, 助手 (10191496)
佐久間 秀夫 東京都立大学, 工学部, 助手 (20128573)
諸貫 信行 東京都立大学, 工学部, 助教授 (90166463)
奥村 次徳 東京都立大学, 工学部, 教授 (00117699)
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| 研究概要 |
高純度シリコンウエハ・サブストレート(4インチ),面方位(100)について,サブストレートの結晶軸,結晶方位,結晶化度,結晶歪,結晶構造を微小領域解析装置X線回析部によって計測すると同時に,面性状(平面性など)を光干渉法と微小領域解析装置形状解析部による観察によって評価した.そして,そのサブストレート上にシリコンをエピタキシャル結晶成長させた.このとき,成長条件として,成長温度のみを400℃から800℃まで,100℃ずつ変化させて実験を行った.この時,基板温度以外の成長条件は一定とした.そして,上記において成長前に解析された同一箇所を,エピタキシャル成長層について同様の解析を行い,ある微小領域についての結晶成長プロセスを解析した.その結果,成長温度については,400℃では,エピタキシャル成長はおこらなかった.また,500℃以上の温度では,温度が高くなると,結晶性は良くなるが,成長層の性状は荒れたものとなった.性状は600,700℃のものが良好であった.これは,温度によって,成長の様式が変化するためと考え,温度のみの関数である分子の基板表面での表面拡散距離と基板温度の関係から,この成長の様式の解析を試み,実験結果と解析の結果が傾向として一致した.
すなわち,分子線エピタキシでは,適切な前後処理および成長条件を設定すれば,結晶性が良好でかつ平滑な表面性状の平面が創成できることが明らかとなった.
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