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半導体超微細構造における共鳴電子捕獲の制御に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 04452085
研究種目

一般研究(B)

配分区分補助金
研究分野 応用物性
研究機関東京大学

研究代表者

白木 靖寛  東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (00206286)

研究分担者 深津 晋  東京大学, 先端科学技術研究センター, 助手 (60199164)
研究期間 (年度) 1992 – 1993
研究課題ステータス 完了 (1993年度)
配分額 *注記
7,000千円 (直接経費: 7,000千円)
1993年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1992年度: 5,100千円 (直接経費: 5,100千円)
キーワード共鳴電子捕獲時間 / トンネル障壁 / 非発光性再結合 / 過剰電子 / 非発光再結合 / 共鳴電子捕獲 / ヘテロ界面 / 量子力学的反射率 / 電子波ミラー / 低次元量子構造
研究概要

本年度は、共鳴電子捕獲のデバイスへの応用という観点から以下の重要な知見を得た。
1.共鳴電子捕獲時間の測定
これまでの研究で、量子井戸の両ヘテロ界面にトンネル障壁を挿入することによって、共鳴効果が著しく増大することが分かっている。そこで、カリウムひ素/アルミニウムガリウムひ素量子井戸界面に、アルミニウムひ素をトンネル障壁層(20A、10Aあるいは2.8A)として挿入した試料に対して、温度6Kにて時間分解フォトルミネセンスを行った。その結果、アルミニウムガリウムひ素障壁層からのフォトルミネセンス強度の減衰時間が井戸幅に対し振動する傾向を示し、共鳴電子捕獲が起こる条件で極小となることが分かった。この共鳴時の減衰時間が、共鳴電子捕獲時間に相当すると考えられ、175psec(トンネル障壁厚さ20A)43psec(10A)、時間分解能25psec以下(2.8A)という値を得られた。トンネル障壁厚さに伴う共鳴電子捕獲時間の増大は、障壁層からの入射電子のエネルギーの熱的な分布に対し共鳴エネルギー幅が狭く、フィルタリング効果を生じていることを示している。
2.共鳴電子捕獲による非発光再結合の増加
これまでの研究で、共鳴電子捕獲により量子井戸への電子捕獲効率が増大することが分かっている。しかし一方で、一部の試料については、共鳴条件を満たす井戸幅において、フォトルミネセンスの発光効率が低くなるという相反する実験結果も得られていた。今回、このような試料に熱処理を施したものについてフォトルミネセンスを調べることより、この現象が、量子井戸内に存在する非発光再結合中心に関係することを明らかにした。共鳴電子捕獲が起こると、量子井戸への電子捕獲効率の増大に伴い、正孔に対し過剰な電子が生じる。実験結果は、このような井戸内の過剰な電子が非発光再結合を促進することを示している。このことから、非発光再結合中心の電子捕獲速度が、正孔捕獲速度に比べ遅く、非発光再結合速度を律速していることが予想される。このように、非発光再結合過程は、共鳴電子捕獲効果を相殺してしまう可能性があり、共鳴電子捕獲をデバイスに利用するには非発光再結合中心の少ない良質の結晶が必要不可欠である。

報告書

(3件)
  • 1993 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1992 実績報告書
  • 研究成果

    (14件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (14件)

  • [文献書誌] A.Fujiwara et al.: "Control of electron capture in AlGaAs/GaAs quantum wells with tunnel barriers at heterointerfaces"" Proceedings of the 20th International Symosimu on Gallium Arsenide and Relatd Compounds(Inst.Phys.(IOP)Conf.Ser.). (in press). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Muraki et al.: "Enhancement of free-to-bound transitions due to resonant electron capture in Be-doped AlGaAs/GaAs quantum wells" Workbook of 6th International Confevence on Modulated Semiconductor Structures(MSS-6). 974-977 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Ogasawara et al.: ""Well-width dependence of photoluminescence excitation spectra in GaAs-Al_xGa_1-_xAs quantum well"" Physical Review. B42. 9562-9565 (1990)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Fujiwara et a.: ""Observation of resonant electron capture in AlGaAs/GaAs quantum well structures" Surface Science. 263. 642-645 (1992)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Fujiwara et al.: ""Resonant electron capture in AlGaAs/GaAs quantum well structures"" Inst.Phys.(IOP)Conf.Ser.No.127 Chapter 5. 195 (1992)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Fujiwara et al.: ""Control of electron capture in AlGaAs/GaAs quantum wells with tunnel barriers at heterointerfaces"" Inst.Phys.(IOP)Conf.Ser.(in press). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Muraki et al.: ""Enhancement of free-to-bound transitions due to resonant electron capture in Be-doped AlGaAs/GaAs quantum wells"" Solid State Electronics. (in press). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Fukatsu et al.: ""Exciton diffusion and carrier collection in strained Si_<1-x>Ge_x/Si quantum wells"" Extended Abstracts of the International Conference on Solid State Devices and Materials, (Makuhari). 901-903 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Fukatsu et al.: ""Time-of-flight measurement of carrier transport and carrier collection in strained Si_<1-x>Ge_x/Si quantum wells"" Journal of Vacuum Science and Technology. B12 (to be published). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Fujiwara: "Control of Electron Capture in AlGaAs/GaAs Quantum Wells with Turrel Barriers at Heterointertaces(in press)of Physics Conference Senes)" Proceedings of the 20th International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds(Institute. (1994)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] K.Muraki: "Enhancement of Free-to-bound Transitions due to Resonant Electron Capture in Be-doped AlGaAs/GaAs Quantum Wells" The Workbook of 6th International Conference or Modulated Semiconductor Structuros(MSS-6). 974-977 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] A.Fujiwara: "Resonant electron capture in AlGaAs/GaAs quantum well structures" Institute of Physics Conference Series. 127. 195-198 (1992)

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書
  • [文献書誌] S.Fukatsu: "Excitonic Band Edge Luminescence in Straired Si_<1-x>Gex/Si Quantum Well Structures Grown by Gas-Source Si Molecular Beam Epitaxy" Extendea Abstracts of the 1992 Int.Conf.on Solid State Devices and Materials. 674-676 (1992)

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書
  • [文献書誌] S.Fukatsu: "Photogeneration and Transport of Carriers in Strained Si_<1-x>/Gex/Si Quantum Well Structures" Jpn.J.Appl.Phys.31. L1525-L1528 (1992)

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書

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公開日: 1992-04-01   更新日: 2016-04-21  

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