| 研究課題/領域番号 |
04453076
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
工業物理化学・複合材料
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
藤嶋 昭 東京大学, 工学部, 教授 (30078307)
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| 研究分担者 |
馬場 凉 (馬場 涼) 東京大学, 工学部, 助手 (70198951)
橋本 和仁 東京大学, 工学部, 助教授 (00172859)
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| 研究期間 (年度) |
1992 – 1993
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| 研究課題ステータス |
完了 (1993年度)
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| 配分額 *注記 |
8,100千円 (直接経費: 8,100千円)
1993年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
1992年度: 5,300千円 (直接経費: 5,300千円)
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| キーワード | 有機薄膜 / LB膜 / STM / アゾベンゼン / 記憶素子 / 光化学反応 / 電気化学反応 / 光情報 / LB法 / 記録素子 |
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| 研究概要 |
本研究は、光化学反応と電気化学反応を組み合わせ、光の持つ高速性や多重性を積極的に利用した。
1.全く新しいタイプの高密度情報記憶素子を開発することを目的とし、具体的には、電極界面に秩序正しく配列した分子(ラングミュアー・プロジェト膜(LB膜を用いる)が光エネルギーを吸収することによりおこる化学反応により、その分子酸化還元電位と光学吸収スペクトルが変化する現象を利用して、分子レベルのディメンジョンで光情報を記憶、再生するシステム、すなわち、情報記憶分子素子の構築を試みた。我々は、最近、透明電極上に作成したアゾベンゼン誘導体LB膜の、トランス体とシス体の電気化学反応性が異ることを発見した。さらに、その反応とシス、トランス間の光異性化反応とを組み合わせることにより、全く新しい原理に基づいた超高密度情報記憶素子が構築できる可能性のあることを示唆し、実際初歩的結果ながら、光記憶に一部成功した。本研究においては、これらの考えや実験結果を基に、実際に高密度で光情報を記憶することを試みた。さらにアゾベンゼンより長波長光で光書き込みできる類似分子設計し、応用することを試みた。
2.レーザー光での高密度書き込むこと、非破壊読みだし、STMを用いた高密度書き込み、固体電解質利用した系の開発、より長波長光での光異性性のおきるアゾベンゼン類似分子を設計・合成、さらにそれを用いた高密度書き込みの実験、前年度に合成したアゾベンゼン類似分子を用いて光学モードおよび電気化学モードで高密度書き込みを行った。これらの研究成果をもとに超高密度書き込み、読みだしのシステムのプロトタイプをつくった。
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