| 研究課題/領域番号 |
04559008
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| 研究種目 |
試験研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
広領域
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
管 滋正 (菅 滋正) 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (40107438)
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| 研究分担者 |
吉田 能英 島津製作所, 東京支社, 課長(研究者)
銭谷 福男 島津製作所, 東京支社, 専門課長(研究者)
今田 真 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (90240837)
大門 寛 大阪大学, 基礎工学部, 助教授 (20126121)
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| 研究期間 (年度) |
1992 – 1994
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| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
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| 配分額 *注記 |
18,600千円 (直接経費: 18,600千円)
1994年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
1993年度: 6,900千円 (直接経費: 6,900千円)
1992年度: 9,300千円 (直接経費: 9,300千円)
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| キーワード | IPES / VUV / スピン偏極 / NEAカソード / 高分解 / 非占有状態 / vuv / 逆光電子分光 / BIS / 高分解能 / 電子レンズ / LEED / フェルミ準位 / 角度分解逆光電子 |
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| 研究概要 |
偏光分析と高分解能を実現する真空紫外逆光電子分光装置の設計制作を行なった。まずバンドパス型検出器のエネルギー分解能を上げるためにSrF_2の温度をコントロールし,励起子吸収端のUrbachテ-ルをシフトさせた二つの逆光電子スペクトルの差分を取る方法を確立した。この方法では検出器のエネルギー分解能全半値幅を0.2eVにする事が出来た。励起電子源のエネルギー分解能を上げるために負電子親和力にしたカソード(NEAカソード)を開発した。これは清浄GaAs表面にCsとO_2を適量蒸着する事と半導体レーザー励起によって実現した。NEAカソードとしての寿命を十分長く確保するために大気中での表面の化学処理法や超高真空中でのArボンバードおよびアニーリング再結晶化法を確立した。寿命にはGaAs表面処理時の超高真空度が強く影響する事が分った。そのため非蒸発型ゲッターポンプや超高真空でも排気速度を維持できるポンプを取りつけて電流値10μA以上,寿命10時間を実現した。なお現状での電子レンズの透過率は最高80%通常でも50%であり一応の水準に達したものと思われる。
そのほかシステムとして完成したものにするために三枚グリッドの低速電子線回折装置(LEED)を導入した。これは主として表面構造解析に用いられるが,グリッドに交流バイアスをかけてロックインアンプで変調成分を検出することによりオージェ電子分析が出来るようにした。これらを駆動するソフトウェアを開発しパソコンによる計測が可能となっている。また試料に異方性を持たせるためのinsitu仕様のパルス磁石などが完成した。
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