| 研究課題/領域番号 |
04650030
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 理化学研究所 |
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研究代表者 |
伊東 芳子 理化学研究所, 核化学研究室, 先任研究員 (90087429)
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| 研究分担者 |
村上 英興 (村上 秀興) 東京学芸大学, 教育学部, 教授 (30011000)
中西 紀喜 理化学研究所, サイクロトロン研究室, 先任研究員 (90087388)
安部 文敏 理化学研究所, 核化学研究室, 主任研究員 (50087491)
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| 研究期間 (年度) |
1992 – 1993
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| 研究課題ステータス |
完了 (1993年度)
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| 配分額 *注記 |
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1993年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
1992年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
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| キーワード | 陽電子消滅 / 陽電子消滅ドップラー拡がり / 陽電子寿命 / 多孔質シリコン / 低速陽電子線 / オルソポジトロニウム / パラポジトロニウム / 陽電子消滅寿命 / ドップラー拡がり / ポーラスシリコン / 低速陽電子ビーム / 陽電子消滅ドプラー広がり / GaAs結晶欠陥 |
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| 研究概要 |
1.欠陥の挙動
(1)GaAs結晶中低濃度格子欠陥の挙動を陽電子消滅寿命及びドプラー広がり測定法を用いて調べた。電子線、陽子線を照射した無添加及びSi添加GaAs結晶中欠陥の回復過程と低温での温度依存性の実験結果から欠陥の集合と消滅ステージを明らかにした。また、浅いトラップの存在が示唆された。
(2)発光材料として注目を浴びている多孔質シリコンの構造評価を本方法を用いて行った。低温での温度依存性と酸素雰囲気中での測定結果から多孔質層でオルソポジトロニウムが生成され、パラポジトロニウムへの変換がおこり、周りの不対電子の影響を受けることがわかった。
2.陽電子線源の開発
(1)低速陽電子線発生のための装置を設計製作し、AVFサイクロトロンのビームライン(E7)に装着し短半減期陽電子核種による高強度低速陽電子線源の開発に取りかかった。
(2)プロトン、またはデュウトロンをBN,NaF,Cなどのターゲットに照射し、放出される高エネルギー陽電子をタングステンモデレーターで減速し、ソレノイド飛行管中を輸送し、マイクロチャンネルプレートおよびBGO検出器で検出した。得られたビーム強度は期待される値に近かったがさらに強度向上のための検討すべき余地を確認した。
(3)バックグラウンド放射線のレベルを測定し。半導体表面界面研究のための装置設計への指針を得た。
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