| 研究課題/領域番号 |
04650692
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機工業化学・無機材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
河本 邦仁 名古屋大学, 工学部, 教授 (30133094)
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| 研究分担者 |
徐 元善 名古屋大学, 工学部, 助手 (30242829)
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| 研究期間 (年度) |
1992 – 1993
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| 研究課題ステータス |
完了 (1993年度)
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| 配分額 *注記 |
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
1993年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
1992年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
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| キーワード | Silicon carbide / Stacking fault / Grain growth / Surface diffusion / High-temperature / Reaction rate / Formation / Annihilation / 炭化ケイ素 / 積層欠陥 / 粒成長 / 表面拡散 / 拡散律速 / 速度論 |
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| 研究概要 |
今年度はβ-SiCにおける積層欠陥の消滅現象を速度論的に解析し、すでに提案している消滅メカニズムの検証を行うことを中心に研究を進めた。まず、積層欠陥密度の時間変化を所定の各温度で追跡し、これをAvrami-Erofeevの速度式で解析したところ、拡散律速による変化過程であることが判明した。さらに、平均粒径の時間変化を同様に追跡したところ、高温における粒成長速度は表面拡散律速モデルに基づくNichols-Mullinsの粒成長速度式で極めて良く整理された。両者の速度過程の活性化エネルギーは良く一致することから、積層欠陥消滅が表面拡散に支配された粒成長に伴って起きる見かけの現象であるとする従来の我々の提案モデルを支持する結果と考えた。また、上記速度過程がAr、N_2雰囲気中で異なる速度を示し、活性化エネルギーも変化することから、高温でSiCへの窒素の固溶が原因となることを明らかにするとともに、その根拠について基礎科学的な問題を提起した。
その他、関連する問題として、籾殻灰から調製したβ-SiCの諸特性の検討、シリカの炭素還元によるβ-SiCの生成過程と積層欠陥の生成との関係について検討を行い、相当程度の成果を挙げることができた。
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