| 研究課題/領域番号 |
04680056
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
結晶学
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
湯本 久美 東京理科大学, 基礎工学部, 講師 (50103073)
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| 研究期間 (年度) |
1992
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| 研究課題ステータス |
完了 (1992年度)
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| 配分額 *注記 |
1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
1992年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | ひげ結晶 / 結晶成長 / 電析法 / Zn-Ni / Co-Ni / 異常共析 / メッキ |
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| 研究概要 |
1.電析法によりZn-Ni合金ひげ結晶が成長した。条件としては、結晶表面をZnO膜が覆うことが必要であった。
2.理面上このZnO膜はpH上昇により形成される。そこで、微小アンチモン電極を作製して、電析表面のpH値を測定した結果、電析時間とともにpH2からpH4.5に上昇することが分かった。
3.この結晶中のNi含有量は、溶液中の半分程であった。従来異常共析は結晶表面をZn(OH)_2膜が覆っているためNiの電析を阻止するものとされていたが、むしろZnO膜の方がNiの析出阻止が顕著であった。
4.不純物制御や電流波形を三角波に変える事により、長さを20μmから120μm程に伸ばすことができた。
5.Co-Ni系でも500μm程のひげ結晶が成長したが、ラッパ型の空洞結晶となった。これは、電析物表面で発生する水素ガスの影響によるものであった。
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