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超薄膜半導体ガスセンサーの開発

研究課題

研究課題/領域番号 04805075
研究種目

一般研究(C)

配分区分補助金
研究分野 無機工業化学・無機材料工学
研究機関東京農工大学

研究代表者

鈴木 健之  東京農工大学, 工学部, 教授 (70092559)

研究分担者 和田 智志  東京農工大学, 工学部, 助手 (60240545)
野間 竜男  東京農工大学, 工学部, 講師 (20180771)
研究期間 (年度) 1992
研究課題ステータス 完了 (1992年度)
配分額 *注記
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1992年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
キーワード超薄膜 / ガスセンサー / 半導体 / イオンビームスパッタリング / 酸化スズ / ホール効果 / 膜厚効果
研究概要

超薄膜半導体ガスセンサについて、以下の実験を実施し新たな知見を得た。
1.イオンビームスパッタ法で、パイレックス基板上に、厚さ1〜800nmの酸化スズ薄膜を析出させた。これを、500℃、500時間空気中で熱処理し、白金電極をつけてセンサ素子とした。
2.秀過型電子顕微鏡により、超薄膜の結晶粒の観察を行い、次ぎの知見を得た。(1)膜厚が100nm以下の結晶粒は板状であり、粒径は100〜300nmと大きい(2)これに反して、膜厚が100nm以上では粒径は〜40nmと小さい。
3.300℃において0.5%水素ガスを流し、空気中と水素中における電気特性より、感度、比抵抗、ホール易動度、キャリア密度を求めた。(1)感度は膜厚5〜20nmの範囲で1万倍以上と高い(2)高感度の原因は空気中における電気抵抗が高いことにある(3)ホール易動度は空気中および水素中でほとんど変わらず、一定値 〜6×10^<-4>m^2v^<-1>s^<-1>を持つ(4)キャリア密度は膜厚100nmまでは空気中と水素中でほぼ等しいが、100nm以下の厚さでは、空気中で減少し、水素中で増大し10^<25>-10^<26>m^<-3>で飽和する傾向にある(5)これらの結果より、酸素ガスの表面吸着と水素との反応によるキャリア密度の変化が感度を支配しており、一部は水素による酸化スズの還元効果もあるとの結論を得た。
4.基板をパイレックスガラスから、多孔質ムライトに変えて感度に対する膜厚効果を調べた。この結果、膜厚10nm以下では全く感度がでないことがわかった。
5.酸化スズに変えて、酸化亜鉛膜についても水素ガスの感度の膜厚依存を調べた。酸化スズと全く異なり、厚い膜ほど感度が良いことが判明した。これは、検知機構の上からは大変重要な知見なので急いで発表し、今後の検討課題としておく。
6.成果は、5については公表し、その他については、化学会およびセラミックス協会の講演会で発表し現在雑誌に投稿準備中である。

報告書

(1件)
  • 1992 実績報告書
  • 研究成果

    (1件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (1件)

  • [文献書誌] T.Yamazaki,S.Wada,T.Noma,T.Suzuki: "Gas Sensing Properties of Ultrathin Zinc Oxide Films" Sensors and Actuators.B. (1993)

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書

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公開日: 1992-04-01   更新日: 2016-04-21  

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