ZnSe中に埋め込まれたGaAs量子箱における非破壊ヘテロ界面評論法の研究

• 研究課題/領域番号: 04855006
• 研究種目: 奨励研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 応用物性
• 研究機関: 早稲田大学
• 研究代表者: 宗田 孝之 早稲田大学, 理工学部, 助教授
• 研究期間 (年度): 1992
• 研究課題ステータス: 完了 (1992年度)
• 配分額: 800千円 (直接経費: 800千円); 1992年度: 800千円 (直接経費: 800千円)