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蛍光EXAFSによる成長素過程のその場測定と原子レベルミクロ構造の制御

研究課題

研究課題/領域番号 05211101
研究種目

重点領域研究

配分区分補助金
研究機関名古屋大学

研究代表者

竹田 美和  名古屋大学, 工学部, 教授 (20111932)

研究分担者 大柳 宏之  電子技術総合研究所, 電子基礎部, 室長
田渕 雅夫  名古屋大学, 工学部, 助手 (90222124)
藤原 康文  名古屋大学, 工学部, 助教授 (10181421)
研究期間 (年度) 1993
研究課題ステータス 完了 (1993年度)
配分額 *注記
1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
1993年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
キーワード蛍光EXAFS / 成長初期過程 / 原子レベル / 1原子層 / InPAs / 界面構造 / 表面置換 / 結合長
研究概要

高エネルギー物理学研究所・放射光実験施設の超高真空ビームラインへの蛍光EXAFS装置とMBE成長装置の接続をビームライン13番で行った。ビームライン13番では、ビーム強度を1桁上げ、検出器のカバーする立体角を7倍にする。このことにより、さらに希薄な不純物ならびに1原子層以下の超薄膜を測定するための蛍光EXAFSが立ち上がり、これによる1分子層ヘテロ構造ならびに不純物周辺の局所構造の測定に成功している。
本年度は、成長初期過程のEXAFS測定の前提となる1原子層(さらには1原子層以下)のみを有するウエファにおける測定を目標に実験を行った。試料としては、InPに挟まれた1原子層のInP_xAS_<1-x>で組成を変化させたものを用意した。測定と解析により明かにされたAs-In結合長は、非線形の組成依存性を示し、組成0.5で規則配列と考えられるピーク値を示した。成長時の自由表面における原子配列がInPキャップ層によって凍結されたと解釈された。原子層成長ではヘテロ界面での原子置換が界面急峻性の最終決定要因となる。OMVPE成長におけるInP成長層表面のP原子と気相のAs原子との置換を蛍光EXAFSによって検出した。置換時間を0.5秒-8秒と変化させたが、初期に短時間の置換とその飽和、続いて1原子層への変化が見いだされた。これらの現象を解釈するための必要条件として、Asの分布形状がある。これを明かにするため、放射光を用いたX線CTR測定を行い、1原子層単一層における測定およびその解析に世界ではじめて成功した。これを元に、置換As量をその分布形状と絶対量の両面から決定し、置換現象=成長初期過程を定量的に明らかにすることができた。

報告書

(1件)
  • 1993 実績報告書
  • 研究成果

    (4件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (4件)

  • [文献書誌] Y.Kuwahara: "Bond length relaxation in ultrathin In_<0.4>As_<0.6> layers on InP(100)" Inst.Phys.Conf.Ser.129. 483-488 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] 竹田美和: "蛍光EXAFSによる半導体界面の構造評価" 表面. 31. 651-658 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] M.Tabuchi: "Atom exchange at the growth front by group-V source gas in the OMVPE growth revealed by EXAFS measurement" Processing Materials for Properties. 1. 129-132 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] 竹田美和: "超精密生産技術体系(分担執筆)" フジ・テクノシステム(印刷中),

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書

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公開日: 1993-04-01   更新日: 2016-04-21  

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