| 研究課題/領域番号 |
05224205
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| 研究種目 |
重点領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
中山 恒義 北海道大学, 工学部, 教授 (80002236)
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| 研究分担者 |
丹田 聡 北海道大学, 工学部, 助教授 (80217215)
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| 研究期間 (年度) |
1993
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| 研究課題ステータス |
完了 (1993年度)
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| 配分額 *注記 |
3,600千円 (直接経費: 3,600千円)
1993年度: 3,600千円 (直接経費: 3,600千円)
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| キーワード | 高温超伝導体 / S-I転移 / 相転移 / スケーリング |
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| 研究概要 |
分子線エピタキシー(MBE)法により、良質のNdCeCuO単結晶薄膜を作製し、また本年度はNdCeCuF単結晶、BiSrCuO単結晶作製に成功した。これらのサンプルを用い以下のような研究を遂行した。
(1)S-I転移近傍において、普遍的臨界面抵抗(R=h/4e^2)の値をとるか精密な実験を遂行した。特に100mKまでの希釈冷凍器温度領域までの実験を行った。
(2)ゼロ磁場下において超伝導-絶縁体近傍における伝導機構、特に電荷ボソンの可変領域ホッピング(VRH)型伝導[R_<xx>=A[exp(To/T)^x]]の指数xの実験的決定を行った。
(3)磁場変調型S-I転移のダイナミクスを調べるため、超伝導マグネットを用い高磁場下における面抵抗の測定を行い、特にこれまで1.5Kしか測定できなかったのを、希釈冷凍器により100mK領域までの測定データをとれるようにした。
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