研究課題/領域番号 |
05226221
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研究種目 |
重点領域研究
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配分区分 | 補助金 |
研究機関 | 大阪大学 |
研究代表者 |
鈴木 直 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (40029559)
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研究分担者 |
望月 和子 信州大学, 理学部, 教授 (90029413)
白井 正文 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (70221306)
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研究期間 (年度) |
1993
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研究課題ステータス |
完了 (1993年度)
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配分額 *注記 |
1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
1993年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
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キーワード | MOTMP / 磁気異方性 / 磁気双極子相互作用 / スピンフロップ転移 / 強磁性発現条件 / 電子帯構造 / FLAPW法 / H_2NO |
研究概要 |
1.反強磁性体MOTMPの磁気異方性と磁場誘起相転移 分子反強磁性体MOTMPにおける磁気双極子相互作用エネルギーをエバルト法で評価し、実験で観測されているように確かにα-軸がスピン容易軸であることを示した。また、得られた双極子エネルギーを用いて計算した各軸方向の磁化飽和磁場およびα-軸に磁場をかけた場合のスピンフロップ磁場は実験結果と定量的に良い対応を示す。 2.拡張されたハバードモデルに基づく磁気相図 (1)1個の軌道をもつ異なる分子が単位胞に2個含まれる、および(2)2個の軌道をもつ分子が単位胞に1個含まれる、2つの場合について金属強磁性発現の条件を調べた: (1)fillingが1/4の場合、異なる分子の軌道エネルギーに差がありかつ1次元性が強いときにはフェリ磁性相が現れ得る. (2)fillingが1/4の場合、同じ種類の軌道間の飛び移りより異なる軌道間の飛び移りが大きいときには強磁性相が現れ得る. 3.H_2NO結晶の電子帯構造の第1原理的計算 (1)H_2NOが同じ向きに並んだ1次元鎖および(2)H_2NOが交互に逆向きに並んだ1次元鎖が正方格子を形成する2つの仮想結晶に対してフルポテンシャルLAPW法によるバンド計算を行い以下の結果を得た: (1)NとOの反結合軌道が1次元性の強いバンドを形成し、フェルミレベルはこのバンドの中央、谷のところに位置する。従って、磁性が現れる場合には反強磁性である. (2)(1)に比較して1次元性が弱まりかつバンドの縮退が増加したためにフェルミレベルでの状態密度がかなり大きくなり、この場合には強磁性状態が現れ得る可能性がある.
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