研究課題/領域番号 |
05233202
|
研究種目 |
重点領域研究
|
配分区分 | 補助金 |
研究機関 | 東北大学 |
研究代表者 |
橋詰 富博 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (70198662)
|
研究分担者 |
渡辺 洋右 東北大学, 金属材料研究所, 助手 (00167181)
桜井 利夫 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20143539)
|
研究期間 (年度) |
1993
|
研究課題ステータス |
完了 (1993年度)
|
配分額 *注記 |
1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
1993年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
|
キーワード | フラーレン / STM / 銅 / 銀 / シリコン / 薄膜 |
研究概要 |
シリコン表面において、フラーレンは表面のSi原子のダングリングボンドと強く化学結合をして、バルクにおけるスピン(回転)を止めることが判明している。本年度はフラーレンを吸着する表面を銅、銀として、吸着したフラーレンの薄膜、構造、電子状態を研究した。Cu(III)表面におけるC_<60>単分子膜において、C_<60>は分子間距離10.2AとバルクとほぼサイズのCu(111)-(4×4)C_<60>稠密単分子膜を形成した。このとき全てのC_<60>分子が、Cu表面の3-fold-hollow位置に吸着して、C_<60>の回転が止まり、C_<60>固有の電子状態に対応した3回対称の内部構造がSTMにより観察された。銅表面においてはフラーレンとの相互作用が比較的強く、またC_<70>、C_<60(x)>C_<10(1-X)>においても(4×4)構造が得られた。Ag(111)表面においてはC_<60>、C_<70>、Sc_2@C_<84>などのフラーレンを吸着し、単分子膜を形成すると、いづれの場合もそれぞれのバルクと同じサイズの稠密面となり、基板に対する整合性はCu(111)と比べて弱い。
|