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走査型電気化学トンネル分光法による金属及び半導体・電解質溶液界面の電子物性

研究課題

研究課題/領域番号 05245202
研究種目

重点領域研究

配分区分補助金
研究機関北海道大学

研究代表者

魚崎 浩平  北海道大学, 理学部, 教授 (20133697)

研究分担者 葉 深  北海道大学, 理学部, 教務職員 (40250419)
近藤 敏啓  北海道大学, 理学部, 助手 (70240629)
中林 誠一郎  北海道大学, 理学部, 講師 (70180346)
研究期間 (年度) 1993
研究課題ステータス 完了 (1993年度)
配分額 *注記
2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
1993年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
キーワード走査型トンネル顕微鏡 / トンネル分光 / 電気化学 / 金 / 白金 / 半導体電極
研究概要

現有のSTMを改造し、フィードバック回路のON/OFF、ピエゾ印加電圧の測定/外部印加、バイアスの走査、トンネル電流の測定を16 bit DA、16 bit ADおよび12 bit DAを介してパソコン制御可能なシステムを構築した。
まず空気中で、探針-試料(金)間距離を変化させながらトンネル電流を測定した。期待されるトンネル電流の距離依存性が見られたが、得られた実効バリア高は非常に小さかった(〜0.02eV)。試料を純水で洗浄後、純水中で測定するとこの値は約1桁増加し、汚染による影響が確かめられた。次いで、電解質溶液中で試料(金単結晶、白金単結晶)と探針の電位を独立に制御しながら、トンネル電流の距離およびバイアス依存性を測定した。この場合もトンネル電流の対数と距離との間には直線関係がみられ、〜0.2eV程度の平均バリア高さが得られた。また、低バイアス領域ではトンネル電流はバイアスと直線関係となったが、バイアスが大きくなると電子構造を反映したものとみられる直線関係からのずれが観察された。さらに半導体電極についてもこれらの測定を行った。

報告書

(1件)
  • 1993 実績報告書
  • 研究成果

    (4件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (4件)

  • [文献書誌] K.Uosaki and M.Koinuma: "In-situ and real time monitoring of the InSe surface by atomic force microscopy with atomic resolution during electro-chemical reactions" J.Electroanal.Chem.357. 301-306 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] K.Murakoshi and K.Uosaki: "X-ray photoelectron spectroscopic studies of the chemical nature of as-prepared and NaOII-treated porous silicon layer" Appl.Phys.Lett.62. 1676-1678 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] K.Uosaki and M.Koinuma: "Atomic imaging of an InSe single-crystal surface with atomic force microscope" J.Appl.Phys.74. 1675-1678 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] K.Murakoshi and K.Uosaki: "Observation and mechanism of photon emission at metal-solution interfaces" PHYSICAL REVIEW B. 47. 2278-2288 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書

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公開日: 1993-04-01   更新日: 2016-04-21  

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