| 研究課題/領域番号 |
05452037
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
八木 克道 東京工業大学, 理学部, 教授 (90016072)
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| 研究分担者 |
箕田 弘喜 東京工業大学, 理学部, 助手 (20240757)
谷城 康眞 東京工業大学, 理学部, 助手 (40143648)
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| 研究期間 (年度) |
1993 – 1994
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| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
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| 配分額 *注記 |
6,400千円 (直接経費: 6,400千円)
1994年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
1993年度: 3,900千円 (直接経費: 3,900千円)
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| キーワード | 表面歪 / 表面内部応力 / Si(001)2×1 / 透過電顕法 / 反対電顕法 / 反射電顕法 / 表面再構成 / 吸着構造 / Si(111) / Si(111)5x2-Au |
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| 研究概要 |
本年度の主要課題は歪印加電子顕微鏡試料ホルダーの試作とその応用である10本研究計画の計画当初、われわれはホルダー全体の作製を計画したが、内定された補助金が予定を下回ったため、既存の2軸傾斜試料加熱ホルダーのもつ、加熱機構と、駆動機構を利用して先端部の作製のみを行った。昨年度に既に基本的設計が完了していたので、本年度すぐに作製に移り、予定のホルダーを作製することが出来た。その結果、試料表面に±0.1%の一軸性応力を印加できることが明らかとなった。試料の加熱も1200℃まで可能なことが分かった。これは世界で初めての表面応力印加可能な電子顕微鏡用試料加熱ホルダーである。これをシリコンの(111)表面に応用したところ、応力によるステップの変化が観察された。しかし、定量的測定は困難であった。そこで、Si(001)2×1ダイマー表面に適用した。その結果応力印加によってステップが移動し、優先テラスが形成されることが分かった。優先テラスの形成は通電電流にも依存するが、応力印加中通電電流を反転させても優先テラスの交代は無く、応力効果の方がより有効であることが分かった。
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