| 研究課題/領域番号 |
05452041
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
邑瀬 和生 大阪大学, 理学部, 教授 (50028164)
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| 研究分担者 |
下村 哲 大阪大学, 基礎工学部, 講師 (30201560)
鷹岡 貞夫 大阪大学, 理学部, 助教授 (50135654)
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| 研究期間 (年度) |
1993 – 1994
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| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
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| 配分額 *注記 |
7,000千円 (直接経費: 7,000千円)
1994年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
1993年度: 4,600千円 (直接経費: 4,600千円)
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| キーワード | 2次元電子系 / 磁気電気容量 / 量子ホール効果 / エッジ状態 / 磁気電子フォーカス効果 / アンチ・ドット格子 / バリステック電子 / アンダーソン局在 / 非局所伝導 / アンチ・ドット人口格子 / 電気容量 / メゾスコピック / とじ込めポテンシャル / 静電容量 |
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| 研究概要 |
我々は、多様なゲート構造をもつ2次元電子系(2DES)からなる半導体における低温での非局所輸送現象を研究し、以下に述べるような成果を得た。15EA02:(1)量子ホール効果状態(QHE)での磁気電気容量
GaAs/AlGaAsの2DESとゲート電極間の電気容量の磁場依存性を測定し、QHE状態での電気容量の最小値の温度依存性および測定周波数依存性を測定した。その結果、エッジ状態の面積に比例する電気容量と試料の電気伝導率σ_<xx>の関数であるバルク状態から電気容量とを区別できことが判明した。
(2)GaAs/AlGaAs、Si-MOSFETでの非局所抵抗とエッジ状態
QHE状態での非局所磁気抵抗の測定より、エッジ状態のエネルギー緩和距離がGaAs/AlGaAsでは数十mmまたSi-MOSFETでは数百μmであること見い出した。
(3)磁気電子フォーカス効果(MEFE)と電子の見かけ上の端子端反射
MEFEによる電子の測定に無関係な端子で電子が見かけ上反射していること見い出し、その反射は端子の電位が上昇することによる電子の再出射によることを、様々な形状の端子により確かめた。
(4)斜め端子からの電子の出射角度分布
斜め端子からの電子の出射角度分布を端子間のバリスティク電子による低磁場磁気抵抗により測定し、出射角度分布は、端子の方向よりむしろ端子の出口の形状に大きく依存することが判明した。
(5)人工アンチドット超格子における整合振動
GaAs/AlGaAsの2DESに作製したアンチ・ドットからなる異方性のある超格子の磁気抵抗の整合振動の超格子の異方性と電流方向による影響を調べた。その結果、整合振動のピーク位置は電流方向を除く格子の最近接距離により決定されることを見い出した。
(6)多結晶Si薄膜トランジスター(poly-Si TFT)の電子局在
比較的易動度の高いpoly-Si TFTの低温での電気伝導の測定より、試料により2次元弱局在から強局在によるバリアブルレンジ・ホッピングまで多様なアンダーソン局在を示すことを見い出した。
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