研究課題/領域番号 |
05452096
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研究種目 |
一般研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
応用物性・結晶工学
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研究機関 | 大同工業大学 (1995) 名古屋大学 (1993-1994) |
研究代表者 |
中井 靖男 大同工業大学, 工学部, 教授 (40022719)
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研究分担者 |
金崎 順一 名古屋大学, 理学部, 助手 (80204535)
伊藤 憲昭 大阪工業大学, 工学部, 教授 (90022996)
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研究期間 (年度) |
1993 – 1995
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研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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配分額 *注記 |
6,300千円 (直接経費: 6,300千円)
1995年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
1994年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
1993年度: 4,300千円 (直接経費: 4,300千円)
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キーワード | 半導体表面 / 表面欠陥 / 原子放出 / レーザー・固体表面相互作用 / 共鳴イオン化 / 結晶成長 |
研究概要 |
本研究は半導体表面に存在する微量の欠陥をエピタキシ-成長のような半導体材料および素子の製作条件下で定量的に評価する実用的な手段を開発するための基礎研究である。この目的のため、我々は既に明らかにしてきた表面欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出の現象を利用した。平成5年度には活性ハロゲン・ガスの表面欠陥への選択的吸着特性を利用した実験を行い、欠陥からの原子放出の特性を明らかにした。またGaP(100)表面に吸着させたGa付加原子型欠陥の原子放出を測定し、レーザー照射による表面欠陥からの原子放出の放出確率と検出感度を明らかにするとともに,吸着形態と原子放出との相関に関する知見を得た。平成6、7年度には、さらに具体的な欠陥構造と原子放出との相関を明らかにする目的で実験手段としてSTMを導入し、レーザー照射前後の表面構造の変化と原子放出の相関を明らかにする詳細な実験を行なった。この実験にはSi(111)7x7を試料として用いた。この理由はSi(111)7x7表面構造には元々アドアトム(付加原子)が存在するため、最も単純なタイプの表面欠陥のレーザー照射による脱離の特性がSTMおよび原子放出の両面から容易に検討出来ることによる。この実験研究から以下のような結果を得た。 1)表面アドアトムはレーザー照射により選択的に放出される。 2)脱離収量は照射強度に対し指数関数的依存性を示す。また位置の異なる二種類のアドアトムは照射強度に対するべき指数が異なる。 3)Si原子放出の収量の照射レーザー光子エネルギー依存性は共鳴吸収的な依存性を示し、原子放出には特定の励起準位が関与していることを示す。 これらの実験結果はレーザー誘起原子放出が表面微量欠陥の評価手段として有望であることを強く裏ずけた。
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