| 研究課題/領域番号 |
05452126
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
機械材料・材料力学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
森 勇蔵 (森 勇藏) 大阪大学, 工学部, 教授 (00029125)
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| 研究分担者 |
山村 和也 大阪大学, 工学部, 助手 (60240074)
遠藤 勝義 大阪大学, 工学部, 助教授 (90152008)
山内 和人 大阪大学, 工学部, 助教授 (10174575)
片岡 俊彦 大阪大学, 工学部, 教授 (50029328)
佐野 泰久 大阪大学, 工学部, 助手 (40252598)
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| 研究期間 (年度) |
1993 – 1994
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| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
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| 配分額 *注記 |
6,300千円 (直接経費: 6,300千円)
1994年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
1993年度: 5,600千円 (直接経費: 5,600千円)
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| キーワード | イオンガン / 表面改質 / シリコン / 薄膜 / 低温成膜 / シリコン薄膜 / イオン照射 / 薄膜用基板 / 表面制御 |
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| 研究概要 |
本研究は、任意の基板上でその機能を十分に発揮できるような薄膜を得るために、薄膜の成長過程に大きな影響を与える基板表面の物性を制御しようとするものである。このために我々はイオン照射による表面改質法を提案している。以下に本研究により得られた成果を列挙する。
(1)設計制作したイオンガンを既存の超高真空装置に取り付け、イオンによる表面改質装置を完成させた。また、イオンガンと超高真空装置の間に設けた質量分離機によって、基板に照射するイオンの種類(元素、価数)が選択出来ることを確認した。
(2)制作した装置を用い、アモルファス基板上への多結晶シリコン薄膜の低温成膜を目指して、シリコンイオン照射による基板の表面改質を試みた。基板としてホウケイ酸ガラスを用い、基板表面にイオンビーム照射を行った結果、室温下で基板表面にシリコン結晶核を形成出来ることがわかった。
(3)(2)の方法によって表面改質を行ったホウケイ酸ガラスを基板とし、電子ビーム蒸着によってシリコン薄膜を作成した結果、300℃以下という低温で、多結晶シリコン薄膜が作成できることが分かった。
このように、我々が提案するイオン照射による表面改質法により、ホウケイ酸ガラス基板表面にシリコンイオン照射により基板表面に結晶核を形成する、という表面改質を行うことで、従来では不可能な低い基板温度において、多結晶シリコン薄膜が形成可能となる、という成果が得られた。
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