| 研究概要 |
(1)マイクロ波CVDに直流バイアスを重畳して性性イオンを分離した。
(2)活性炭素を基板に衝突させることにより,炭素クラスターを形成させた。
(3)炭素クラスターにイオンが衝突することにより,Sp^2からSp^3相移動を行わせ,ダイヤモンドプリカーサ形成を行った。
(4)この過程は生成物のFESEM,X-TEM,XPS等により確認した。
この結果より,初期の研究目的である核発生メカニズムおよび形成のイオンによるモデルを構築した。
(6)このモデに立って核の高密度(10^<12>/cm^2),選択成長(1.4μm幅ストライプ),ヘテロエピタキシャル成長(60%の部分的方位整合)など新しい応用について報告した。
(7)このイオン効果による形成モデル及びその応用について内外の学会で報告し,高い評価を得た。
(8)今後はこの研究を基礎としてダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長を完成させる計画である。
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