| 研究課題/領域番号 |
05555003
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| 研究種目 |
試験研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
村上 正紀 京都大学, 工学研究科, 教授 (70229970)
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| 研究分担者 |
鈴木 彰 シャープ中央研究所, 部長
桜井 武 シャープ中央研究所, 副所長
大槻 徴 (大槻 微) 京都大学, 工学研究科, 助手 (10026148)
奥 健夫 京都大学, 工学研究科, 助手 (30221849)
小出 康夫 京都大学, 工学研究科, 助教授 (70195650)
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| 研究期間 (年度) |
1993 – 1995
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| 研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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| 配分額 *注記 |
8,100千円 (直接経費: 8,100千円)
1995年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
1994年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
1993年度: 4,000千円 (直接経費: 4,000千円)
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| キーワード | P型ZnSe / オーム性電極 / 界面反応 / Ni / Cd / 高濃度ドープ層 / 低障壁中間層 / ZnSe / オーミック・コンタクト / 金属 / 半導体界面 / CdZnSe / アニール / 自然酸化膜 / 仕事関数 / Au,Nb,Cu,Ag,Ni / Cd基およびTe基 / 窒素ラジカルドーピング / 分子線エピタキシー / Au / トンネル電流 |
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| 研究概要 |
3年間の本研究において、P型ZnSeに対する低抵抗なオーム性電極材料を開発する目的で、研究を進めてきたが、オーム性を示す電極材料を発掘するまでには至らなかった。しかしながら、研究代表者らが、これまで進めてきたGaAs系のオーム性電極材料開発の経験を適用しつつ、基礎的に研究を遂行した結果、以下の極めて重要な開発指針を得ることができた。1.ZnSe表面上には薄い自然酸化膜が存在しており、この層が電流の流れを阻害しており、オーム性電極材料開発のためにはこの層を除去することが必要である。2.ZnSe表面の清浄化には、飽和ブロム水系の化学エッチングが最も効果的であることがわかり、その原因も解明された。3.単一金属では低抵抗なオーム性電極を得ることは不可能であるが、この中でもNiが最も良好な電気特性を持つ金属であることがわかった。4.第2元素として、(1)高濃度ドープ層を形成すると期待できる元素、および(2)低障壁中間層を形成すると期待される元素を選定した。300℃までの熱処理では、界面反応によって高濃度ドープ層を形成することは不可能であることが判明した。低障壁中間層を形成すると期待される元素のCdは、300℃までの熱処理においても界面反応によりZnCdSe固溶体を形成し、この層が電流注入を促進することが判明した。5.上記アイデア(2)に基づくCdが、オーム性を得る電極材料として最も可能性があり、現時点でオーム性が得られない原因も解明した。
本研究テーマは、以上の結果および材料設計指針をもとに、本試験研究が終了しても当研究グループにおいて更に続ける予定である。オーム性電極材料開発を最終目的とするとともに、コンタクト抵抗(低抵抗性)の限界を見極める計画である。
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